[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110131064.1
• 申請日: 2011-05-20
• 公開（公告）號: CN102789986A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發明（設計）人: 徐偉中
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 屠長存

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

在襯底上形成柵極；

形成從內往外依次包括第一材料層、第二材料層和第三材料層的疊層，以覆蓋所述襯底表面和所述柵極的上表面以及所述柵極的兩側側壁；

蝕刻所述疊層，以在所述柵極的兩側側壁上形成側壁間隔件，所述側壁間隔件包括所述第一材料層、所述第二材料層和所述第三材料層的剩余部分；

執行離子注入以在所述柵極兩側分別形成源區和漏區；

去除所述第三材料層的所述剩余部分的部分或全部；

執行預清洗工藝，其中所述第二材料層的所述剩余部分的部分或全部被去除；

在所述源區、所述漏區和所述柵極上部形成硅化物；

沉積應力膜，以覆蓋所述硅化物和所述第一材料層的所述剩余部分。

2.如權利要求1所述的方法，其中在去除所述第三材料層的所述剩余部分的部分或全部時，所述第二材料層的所述剩余部分用作阻擋層。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述去除所述第三材料層的所述剩余部分的部分或全部的步驟是通過相對于所述第二材料層具有高選擇比的濕法或干法蝕刻工藝執行的。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述第一材料層和所述第三材料層是氮化硅層或氮氧化硅層，所述第二材料層是氧化硅層。

5.如權利要求1所述的方法，其中，

所述疊層還包括位于所述第一材料層之下的氧化物層，

所述側壁間隔件還包括所述氧化物層的剩余部分，并且

在執行所述預清洗工藝時，所述第一材料層的所述剩余部分用作阻擋層，以避免所述氧化物層被去除。

6.如權利要求5所述的方法，其中所述氧化物層是氧化硅層。

7.如權利要求1-5任何一項中所述的方法，其中所述柵極鄰近溝道區，并且

所述溝道區是n型溝道區，所述應力膜是具有拉伸應力的膜；或者

所述溝道區是p型溝道區，所述應力膜是具有壓縮應力的膜。

8.一種半導體器件，包括：

襯底上的柵極；

所述柵極兩側的源區和漏區；

所述源區、漏區、柵極上部的硅化物；

所述源區上部的硅化物與所述柵極之間、所述漏區上部的硅化物與所述柵極之間以及所述柵極側壁上的“L”形第一材料層，所述第一材料與氧化物相比，在硅化物形成工藝之前的預清洗操作中具有不同的選擇比，從而在暴露的氧化物被去除的同時，能夠保留所述“L”形第一材料層；以及

覆蓋所述硅化物和所述“L”形第一材料層的應力膜。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其中所述第一材料是氮化硅或氮氧化硅。

10.如權利要求8所述的半導體器件，還包括位于所述“L”形第一材料層與所述襯底之間以及所述“L”形第一材料層與所述柵極側壁之間的“L”形氧化硅層。

11.如權利要求8-10中任何一項所述的半導體器件，其中所述柵極鄰近溝道區，并且

所述溝道區是n型溝道區，所述應力膜是具有拉伸應力的膜；或者

所述溝道區是p型溝道區，所述應力膜是具有壓縮應力的膜。