[發明專利]半導體結構及其制法

無效

• 申請號: 201110130913.1
• 申請日: 2011-05-16
• 公開（公告）號: CN102769006A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 林怡宏;李孟宗;高穗安;陳宜興;簡豐隆
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60;H01L23/00
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

晶片，具有外露的電性連接墊；

第一金屬層，形成于該電性連接墊上；

介電層，形成于該晶片及該第一金屬層上，且具有開孔，以令部分該第一金屬層外露于該開孔中；

第二金屬層，形成于該第一金屬層及其周圍的介電層上，且該第一金屬層的材質不同于該第二金屬層的材質；以及

導電柱，形成于該第二金屬層上。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一金屬層為鈦層或鈦鎢層。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一金屬層還設于該電性連接墊的周圍晶片表面上。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第二金屬層為銅層。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該導電柱為銅柱。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括導電材，形成于該導電柱的頂面上。

7.一種半導體結構，其特征在于，包括：

晶片，其表面具有電性連接墊；

第一金屬層，形成于該電性連接墊上；

第二金屬層，形成于該第一金屬層上，且該第一金屬層的材質不同于該第二金屬層的材質；以及

導電柱，形成于該第二金屬層上，且該第一金屬層的分布面積大于該導電柱的剖面面積。

8.如權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，該第一金屬層為鈦層或鈦鎢層。

9.如權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，還包括介電層，形成于該晶片及該電性連接墊上，且具有開孔，以令該電性連接墊外露于該開孔中，使該第一金屬層形成于該電性連接墊上。

10.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，該第一金屬層還形成于該電性連接墊的周圍介電層表面上。

11.如權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，該第二金屬層為銅層。

12.如權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，該導電柱為銅柱。

13.如權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，還包括導電材，形成于該導電柱的頂面上。

14.一種半導體結構的制法，其特征在于，包括：

提供一具有電性連接墊的晶片；

形成第一金屬層于該電性連接墊上；

形成介電層于該晶片及該第一金屬層上，且該介電層具有開孔，以令部分該第一金屬層外露于該開孔中；

形成第二金屬層于該介電層及該第一金屬層上，且該第一金屬層的材質不同于該第二金屬層的材質；

形成導電柱于對應該第一金屬層上方的第二金屬層上；以及

移除該外露的第二金屬層，以保留該導電柱下的第二金屬層。

15.如權利要求14所述的半導體結構的制法，其特征在于，該第一金屬層為鈦層或鈦鎢層。

16.如權利要求14所述的半導體結構的制法，其特征在于，該第一金屬層的制程包括：

形成該第一金屬材料于該電性連接墊及晶片表面上；

形成阻層于該電性連接墊及其周圍晶片表面上的第一金屬材料上，以外露部分第一金屬材料；

移除該外露的第一金屬材料；以及

移除該阻層。

17.如權利要求14所述的半導體結構的制法，其特征在于，該第二金屬層為銅層。

18.如權利要求14所述的半導體結構的制法，其特征在于，該導電柱為銅柱。

19.如權利要求14所述的半導體結構的制法，其特征在于，還包括于移除該外露的第二金屬層之前，形成導電材于該導電柱的頂面。

20.一種半導體結構的制法，其特征在于，包括：

提供一具有電性連接墊的晶片；

形成第一金屬層于該電性連接墊上；

形成第二金屬層于該第一金屬層上，且該第一金屬層的材質不同于該第二金屬層的材質；

形成導電柱于對應該第一金屬層上方的第二金屬層上，且該第一金屬層的分布面積大于該導電柱的剖面面積；以及

移除該外露的第二金屬層，以保留該導電柱下的第二金屬層。