[發(fā)明專利]一種有機薄膜晶體管器件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110124715.4
• 申請日: 2011-05-13
• 公開（公告）號: CN102646791A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張學(xué)輝
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40;H01L51/05;H01L51/30
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，尤其涉及一種有機薄膜晶體管器件及其制作方法。

背景技術(shù)

有機薄膜晶體管(Organic?Thin?Film?Transistor，OTFT)是一種基本邏輯單元器件，器件主要由柵電極、絕緣層、源/漏電極和有機半導(dǎo)體層構(gòu)成。OTFT具有適合大面積加工、適用于柔性基板、工藝成本低等優(yōu)點，在平板顯示、傳感器、存儲卡、射頻識別標(biāo)簽等領(lǐng)域顯現(xiàn)出應(yīng)用前景。因此，OTFT的研究與開發(fā)在國際上受到廣泛關(guān)注。

近年來，有機半導(dǎo)體材料的研究非常活躍，OTFT的綜合性能已經(jīng)達到商用非晶硅的水平，尤其是一些小分子化合物如并五苯、酞菁氧釩、紅熒稀等的室溫載流子遷移率已經(jīng)超過了1cm²/Vs。現(xiàn)有技術(shù)中的OTFT的結(jié)構(gòu)如圖1所示，圖中所示的OTFT為底柵底接觸結(jié)構(gòu)，最底層為襯底1，襯底之上為柵電極2；覆蓋襯底1和柵電極2上的為絕緣層3；位于絕緣層3之上的為源電極5、漏電極6，最后在源電極5、漏電極6之上的為有機半導(dǎo)體層7。在圖中可以看到，根據(jù)目前的工藝制作的OTFT源電極5、漏電極6與柵電極2有局部的交疊8，這樣交疊8部分就會產(chǎn)生柵源、柵漏寄生電容，從而影響OTFT器件的電特性，例如延遲現(xiàn)象等。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供了一種有機薄膜晶體管器件及其制作方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的OTFT器件中源電極、漏電極與柵電極局部交疊產(chǎn)生柵源、柵漏寄生電容，影響OTFT器件電特性的問題。

本發(fā)明實施例提供了一種有機薄膜晶體管器件的制作方法，該方法包括：

在襯底上制備柵電極；

制備覆蓋所述襯底和所述柵電極的絕緣層；

在所述絕緣層上制備與所述柵電極位置重疊的光刻膠圖案；

在所述光刻膠圖案兩側(cè)的絕緣層上制備源電極、漏電極；

剝離所述光刻膠圖案；

制備有機半導(dǎo)體層。

相應(yīng)的，本發(fā)明實施例提供了一種有機薄膜晶體管器件，包括：

襯底；

柵電極，所述柵電極制備于所述襯底上；

絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述襯底和柵電極；

源電極和漏電極，所述源電極和漏電極制備于絕緣層上，與所述柵電極不交疊；和

有機半導(dǎo)體層，所述有機半導(dǎo)體層制備于所述源電極與漏電極之間且覆蓋部分源電極和漏電極。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實施例提供了一種有機薄膜晶體管器件及其制作方法，在本發(fā)明中，首先在襯底上制備柵電極，然后制備覆蓋襯底和柵電極的絕緣層，在絕緣層上制備與柵電極位置重疊的光刻膠圖案，在與柵電極位置重疊的光刻膠圖案兩側(cè)的絕緣層上制備源電極、漏電極，剝離與柵電極位置重疊的光刻膠圖案，最后形成位于源電極與漏電極之間且覆蓋部分源電極和漏電極的有機半導(dǎo)體層。采用本發(fā)明中的方法制作的OTFT器件的源電極、漏電極與柵電極的交疊面積幾乎為零，從而大大降低了器件的柵源、柵漏寄生電容，提高了OTFT器件的電特性；采用普通的源漏極材料即可實現(xiàn)，制備成本比較低。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中有機薄膜晶體管器件的截面圖；

圖2為本發(fā)明實施例中有機薄膜半導(dǎo)體器件的制備流程圖；

圖3為本發(fā)明實施例中制成柵電極后的截面圖；

圖4為本發(fā)明實施例中制成絕緣層后的截面圖；

圖5為本發(fā)明實施例中制成光刻膠圖案后的截面圖；

圖6為本發(fā)明實施例中制成源電極、漏電極后的截面圖；

圖7為本發(fā)明實施例中剝離掉光刻膠圖案后的截面圖；

圖8為本發(fā)明實施例中有機薄膜晶體管器件的截面圖。

具體實施方式

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的OTFT器件的源電極、漏電極與柵電極局部交疊產(chǎn)生柵源、柵漏寄生電容，影響OTFT器件電特性的問題，本發(fā)明實施例提供一種有機薄膜晶體管器件及其制作方法。

本發(fā)明實施例提供的有機薄膜晶體管器件制作方法，其流程如圖2所示，包括如下步驟：

步驟S11：在襯底上制備柵電極。

其中，襯底的材料為玻璃或塑料中的任一種。優(yōu)選的，襯底的材料選用玻璃。

參見圖3，在襯底1上制備柵電極2，可以包括如下兩種制備方式：

方式一：在襯底上制備柵電極金屬層，光刻柵電極金屬層，得到柵電極。