[發明專利]一種有機薄膜晶體管器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201110124715.4
• 申請日: 2011-05-13
• 公開（公告）號: CN102646791A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 張學輝
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40;H01L51/05;H01L51/30
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種有機薄膜晶體管器件的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上制備柵電極；

制備覆蓋所述襯底和所述柵電極的絕緣層；

在所述絕緣層上制備與所述柵電極位置重疊的光刻膠圖案；

在所述光刻膠圖案兩側的絕緣層上制備源電極、漏電極；

剝離所述光刻膠圖案；

制備有機半導體層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在襯底上制備柵電極，具體包括：

在所述襯底上制備柵電極金屬層，光刻所述金屬層，得到柵電極；或

用陰影掩膜覆蓋所述襯底，在覆蓋所述陰影掩膜后的襯底上制備柵電極金屬層，去掉所述陰影掩膜后得到柵電極。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用熱沉積或者化學氣相沉積的方法制備覆蓋所述襯底和所述柵電極的絕緣層；或

采用旋涂的方法制備覆蓋所述襯底和所述柵電極的絕緣層。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，采用熱沉積或者化學氣相沉積的方法制備時，所述絕緣層的材料為氧化鉭Ta₂O₅、氧化鈦TiO₂、氧化鋯ZrO₂、氧化鋁Al₂O₃、氮化硅SiN_X、氧化硅SiO₂中的任何一種或者幾種；或

采用旋涂的方法制備時，所述絕緣層的材料為聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、聚乙烯醇、聚乙烯苯酚、聚氨酯、酚醛樹脂、聚偏氟乙烯中的任何一種或者幾種。

5.如權利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，所述絕緣層的厚度為100-400nm。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述絕緣層上制備與所述柵電極位置重疊的光刻膠圖案，具體包括：

在所述絕緣層上涂覆光刻膠；

烘干所述光刻膠；

以柵電極為掩模板用紫外線從襯底底部對所述光刻膠進行曝光、顯影；

顯影后得到與所述柵電極位置重疊的光刻膠圖案。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述涂覆光刻膠的方法是旋涂法，所述光刻膠的厚度為1.0-3.0μm。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述光刻膠圖案兩側的絕緣層上制備源電極、漏電極，具體包括：

在所述光刻膠圖案和絕緣層上制備源漏電極金屬層；

光刻所述金屬層，得到所述源電極、漏電極，其中，光刻后的所述光刻膠圖案兩側的源漏電極金屬層作為源電極和漏電極。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述制備有機半導體層，具體包括：

制備覆蓋所述源電極、漏電極和絕緣層的有機半導體薄膜；

光刻所述有機半導體薄膜，得到所述有機半導體層。

10.一種有機薄膜晶體管器件，其特征在于，包括：

襯底；

柵電極，所述柵電極制備于所述襯底上；

絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述襯底和柵電極；

源電極和漏電極，所述源電極和漏電極制備于絕緣層上，與所述柵電極不交疊；和

有機半導體層，所述有機半導體層制備于所述源電極與漏電極之間且覆蓋部分源電極和漏電極。