[發(fā)明專利]一種有機(jī)薄膜晶體管器件及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110124715.4
• 申請(qǐng)日: 2011-05-13
• 公開（公告）號(hào): CN102646791A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張學(xué)輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/40
• 分類號(hào): H01L51/40;H01L51/05;H01L51/30
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種有機(jī)薄膜晶體管器件的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上制備柵電極；

制備覆蓋所述襯底和所述柵電極的絕緣層；

在所述絕緣層上制備與所述柵電極位置重疊的光刻膠圖案；

在所述光刻膠圖案兩側(cè)的絕緣層上制備源電極、漏電極；

剝離所述光刻膠圖案；

制備有機(jī)半導(dǎo)體層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在襯底上制備柵電極，具體包括：

在所述襯底上制備柵電極金屬層，光刻所述金屬層，得到柵電極；或

用陰影掩膜覆蓋所述襯底，在覆蓋所述陰影掩膜后的襯底上制備柵電極金屬層，去掉所述陰影掩膜后得到柵電極。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用熱沉積或者化學(xué)氣相沉積的方法制備覆蓋所述襯底和所述柵電極的絕緣層；或

采用旋涂的方法制備覆蓋所述襯底和所述柵電極的絕緣層。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，采用熱沉積或者化學(xué)氣相沉積的方法制備時(shí)，所述絕緣層的材料為氧化鉭Ta₂O₅、氧化鈦TiO₂、氧化鋯ZrO₂、氧化鋁Al₂O₃、氮化硅SiN_X、氧化硅SiO₂中的任何一種或者幾種；或

采用旋涂的方法制備時(shí)，所述絕緣層的材料為聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、聚乙烯醇、聚乙烯苯酚、聚氨酯、酚醛樹脂、聚偏氟乙烯中的任何一種或者幾種。

5.如權(quán)利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，所述絕緣層的厚度為100-400nm。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述絕緣層上制備與所述柵電極位置重疊的光刻膠圖案，具體包括：

在所述絕緣層上涂覆光刻膠；

烘干所述光刻膠；

以柵電極為掩模板用紫外線從襯底底部對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影；

顯影后得到與所述柵電極位置重疊的光刻膠圖案。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述涂覆光刻膠的方法是旋涂法，所述光刻膠的厚度為1.0-3.0μm。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述光刻膠圖案兩側(cè)的絕緣層上制備源電極、漏電極，具體包括：

在所述光刻膠圖案和絕緣層上制備源漏電極金屬層；

光刻所述金屬層，得到所述源電極、漏電極，其中，光刻后的所述光刻膠圖案兩側(cè)的源漏電極金屬層作為源電極和漏電極。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述制備有機(jī)半導(dǎo)體層，具體包括：

制備覆蓋所述源電極、漏電極和絕緣層的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜；

光刻所述有機(jī)半導(dǎo)體薄膜，得到所述有機(jī)半導(dǎo)體層。

10.一種有機(jī)薄膜晶體管器件，其特征在于，包括：

襯底；

柵電極，所述柵電極制備于所述襯底上；

絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述襯底和柵電極；

源電極和漏電極，所述源電極和漏電極制備于絕緣層上，與所述柵電極不交疊；和

有機(jī)半導(dǎo)體層，所述有機(jī)半導(dǎo)體層制備于所述源電極與漏電極之間且覆蓋部分源電極和漏電極。