[發(fā)明專利]一種有機(jī)薄膜晶體管器件及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110124715.4 | 申請(qǐng)日: | 2011-05-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102646791A | 公開(公告)日: | 2012-08-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張學(xué)輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/40 | 分類號(hào): | H01L51/40;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 有機(jī) 薄膜晶體管 器件 及其 制作方法 | ||
1.一種有機(jī)薄膜晶體管器件的制作方法,其特征在于,包括:
在襯底上制備柵電極;
制備覆蓋所述襯底和所述柵電極的絕緣層;
在所述絕緣層上制備與所述柵電極位置重疊的光刻膠圖案;
在所述光刻膠圖案兩側(cè)的絕緣層上制備源電極、漏電極;
剝離所述光刻膠圖案;
制備有機(jī)半導(dǎo)體層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述在襯底上制備柵電極,具體包括:
在所述襯底上制備柵電極金屬層,光刻所述金屬層,得到柵電極;或
用陰影掩膜覆蓋所述襯底,在覆蓋所述陰影掩膜后的襯底上制備柵電極金屬層,去掉所述陰影掩膜后得到柵電極。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,采用熱沉積或者化學(xué)氣相沉積的方法制備覆蓋所述襯底和所述柵電極的絕緣層;或
采用旋涂的方法制備覆蓋所述襯底和所述柵電極的絕緣層。
4.如權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,采用熱沉積或者化學(xué)氣相沉積的方法制備時(shí),所述絕緣層的材料為氧化鉭Ta2O5、氧化鈦TiO2、氧化鋯ZrO2、氧化鋁Al2O3、氮化硅SiNX、氧化硅SiO2中的任何一種或者幾種;或
采用旋涂的方法制備時(shí),所述絕緣層的材料為聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、聚乙烯醇、聚乙烯苯酚、聚氨酯、酚醛樹脂、聚偏氟乙烯中的任何一種或者幾種。
5.如權(quán)利要求1-4任一所述的方法,其特征在于,所述絕緣層的厚度為100-400nm。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述絕緣層上制備與所述柵電極位置重疊的光刻膠圖案,具體包括:
在所述絕緣層上涂覆光刻膠;
烘干所述光刻膠;
以柵電極為掩模板用紫外線從襯底底部對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影;
顯影后得到與所述柵電極位置重疊的光刻膠圖案。
7.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述涂覆光刻膠的方法是旋涂法,所述光刻膠的厚度為1.0-3.0μm。
8.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述光刻膠圖案兩側(cè)的絕緣層上制備源電極、漏電極,具體包括:
在所述光刻膠圖案和絕緣層上制備源漏電極金屬層;
光刻所述金屬層,得到所述源電極、漏電極,其中,光刻后的所述光刻膠圖案兩側(cè)的源漏電極金屬層作為源電極和漏電極。
9.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述制備有機(jī)半導(dǎo)體層,具體包括:
制備覆蓋所述源電極、漏電極和絕緣層的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜;
光刻所述有機(jī)半導(dǎo)體薄膜,得到所述有機(jī)半導(dǎo)體層。
10.一種有機(jī)薄膜晶體管器件,其特征在于,包括:
襯底;
柵電極,所述柵電極制備于所述襯底上;
絕緣層,所述絕緣層覆蓋所述襯底和柵電極;
源電極和漏電極,所述源電極和漏電極制備于絕緣層上,與所述柵電極不交疊;和
有機(jī)半導(dǎo)體層,所述有機(jī)半導(dǎo)體層制備于所述源電極與漏電極之間且覆蓋部分源電極和漏電極。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
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