[發明專利]半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201110123637.6
• 申請日: 2011-05-13
• 公開（公告）號: CN102244004A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: 橋本尚義;米元久
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;王忠忠

1.?一種半導體器件的制造方法，包括：

在半導體襯底上形成淺溝槽的步驟；

在淺溝槽中形成絕緣層的步驟；以及

在淺溝槽中形成深溝槽的步驟，該深溝槽穿透該絕緣層且比該淺溝槽深；

其中形成深溝槽的步驟包括：形成第一深溝槽，該第一深溝槽包括相對于半導體襯底具有第一錐角的內側面；以及形成第二深溝槽，該第二深溝槽包括相對于半導體襯底具有第二錐角的內側面，其中該第二錐角不同于該第一錐角。

2.?根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，還包括：

在半導體襯底的表面上和在深溝槽的內表面上形成氧化膜的步驟；

在氧化膜上形成多晶硅層以使用該多晶硅層來填充深溝槽且經由該氧化膜在半導體襯底上布置多晶硅層的步驟；以及

通過蝕刻多晶硅層以便在半導體襯底上留下部分多晶硅層來形成柵電極的步驟，

其中該半導體器件是具有MOS結構的半導體器件。

3.?根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中：

形成柵電極的步驟包括拋光或回蝕多晶硅層以便具有規定厚度且然后蝕刻多晶硅層以便留下所述部分多晶硅層的步驟。

4.?根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中：

形成氧化膜的步驟包括形成具有5至150nm的厚度的氧化膜。

5.?根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中：

形成氧化膜的步驟包括形成氧氮化硅膜。

6.?根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中：

形成多晶硅層的步驟包括形成具有大于等于0.1μm且小于等于1μm的厚度的多晶硅層。

7.?根據權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其中：

拋光或回蝕多晶硅層的步驟包括拋光或回蝕多晶硅層以使得多晶硅層的厚度變成100至500nm。

8.?根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中：

形成淺溝槽的步驟包括形成具有在0.2至1.5μm的范圍內的深度的淺溝槽，并且

形成第一深溝槽的步驟包括形成其中第一錐角在大于等于70°且小于90°的范圍內的第一深溝槽。

9.?根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中：

形成第二深溝槽的步驟包括形成具有在大于等于0.2μm且小于等于2μm的范圍內的寬度和在大于等于3μm且小于等于20μm的范圍內的深度的第二深溝槽，其中第二錐角在大于等于85°且小于等于90°的范圍內。