[發(fā)明專利]一種形成穿透硅通孔的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110123312.8
• 申請日: 2011-05-13
• 公開（公告）號: CN102208363A
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋崇申
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/60
• 代理公司: 北京市德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 王建國

1.一種形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：包括以下步驟：

第一步，在硅襯底正面刻蝕環(huán)形槽；

第二步，對所述環(huán)形槽進(jìn)行熱氧化處理，使得所述環(huán)形槽被氧化硅層封閉；

第三步，在所述硅襯底正面制作電互連層，所述電互連層的底部貼于所述環(huán)形槽內(nèi)部的硅襯底上；

第四步，從所述硅襯底背面減薄所述硅襯底，直至被所述氧化硅層封閉的所述環(huán)形槽的背部露出；

第五步，刻蝕被所述氧化硅層封閉的所述環(huán)形槽內(nèi)部的硅襯底，使其被全部移除，在所述環(huán)形槽內(nèi)側(cè)形成深孔；

第六步，向所述深孔中填充導(dǎo)電材料，形成所述穿透硅通孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：所述環(huán)形槽的寬度范圍為0.5μm～3μm，所述環(huán)形槽的深度等于或者大于要獲得的所述穿透硅通孔的長度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：所述環(huán)形槽在開口處的寬度等于或者大于所述環(huán)形槽在其深處的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：所述熱氧化處理過程為表面反應(yīng)控制的類型。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：所述電互連層包含至少一層導(dǎo)電材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：所述電互連層所選用的導(dǎo)電材料是銅或者鋁。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：在從所述硅襯底背面減薄所述硅襯底之前，先將所述硅襯底與另一由玻璃、硅或者藍(lán)寶石制成的襯底鍵合。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：從所述硅襯底背面減薄所述硅襯底時采用研磨結(jié)合拋光的方法進(jìn)行。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：在刻蝕被所述氧化硅層封閉的所述環(huán)形槽內(nèi)部的硅襯底之前，在所述環(huán)形槽外部的硅襯底背面制作電介質(zhì)層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：對被所述氧化硅層封閉的所述環(huán)形槽內(nèi)部的硅襯底進(jìn)行刻蝕的方法是深反應(yīng)離子刻蝕方法或者濕法腐蝕方法。