[發明專利]半導體封裝結構

有效

• 申請號: 201110122501.3
• 申請日: 2011-05-12
• 公開（公告）號: CN102779919A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 張超雄
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/56;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
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技術領域

本發明涉及一種半導體封裝結構，尤其涉及一種具有較佳密合性的半導體封裝結構。

背景技術

半導體封裝的LED產業是近幾年最受矚目的產業之一，發展至今，LED產品已具有節能、省電、高效率、反應時間快、壽命周期時間長、且不含汞、具有環保效益等優點。然而由于LED的半導體封裝結構為了增加發光效率，具有一個反射層設置。所述反射層主要環繞著所述半導體晶粒(即所述LED芯片)，以對所述半導體晶粒發出的光線進行反射，產生集中光線增加發光亮度的效果。但是，所述反射層設置的位置會與所述半導體晶粒電性連接的電極接觸，所述電極是為金屬材質，而所述反射層是為塑料材質，這兩種材質之間的附著性不佳，因此在兩者之間的界面常會有水氣滲入，從而導致所述半導體晶粒的功能喪失。所以如何避免水氣滲入，提高所述半導體封裝結構的密合度，是目前半導體封裝產業努力的課題。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種密合度良好的半導體封裝結構。

一種半導體封裝結構，包括一個基板、至少一個半導體晶粒、一個導電膠層以及一個熒光層。所述基板包括有一個第一電極、一個第二電極及一個反射層，所述反射層設置于所述第一、二電極上。所述導電膠層設置在所述反射層內部，并覆蓋所述第一、二電極。所述半導體晶粒通過所述導電膠層固定于所述第一、二電極上并形成電性連接。所述熒光層設置于所述導電膠層上并覆蓋所述半導體晶粒。

一種半導體封裝結構制程，其包括以下的步驟，

提供一個基板，在所述基板上設置一個第一電極以及一個第二電極，并在所述第一、二電極上設置一個反射層；

形成一個導電膠層，在所述反射層內部，并覆蓋所述第一、二電極；

設置至少一個半導體晶粒，在所述導電膠層上，并使所述半導體晶粒具有的兩個電極接點對應所述第一、二電極；

提供一個熱壓模具，對所述半導體晶粒以及所述導電膠層進行熱壓合，使所述半導體晶粒與所述第一、二電極電性連接；及

形成一個熒光層，在所述導電膠層上，并覆蓋所述半導體晶粒。

上述的半導體封裝結構及制程中，由于所述半導體晶粒以所述導電膠層的熱壓合與所述兩個電極直接黏貼固定并達成電性連接，所述導電膠層的密合度高，可以有效避免水氣滲入所述半導體晶粒與所述兩個電極的電性連接處，從而有效提高所述半導體封裝結構的氣密性與防水性。尤其是所述半導體晶粒與所述兩個電極的電性連接不需要打線，具有降低所述半導體封裝結構高度的作用,有利于產品的小型化設計。

附圖說明

圖1是本發明半導體封裝結構實第一施方式的剖視圖。

圖2是本發明半導體封裝結構實第二施方式的剖視圖。

圖3是本發明半導體封裝結構制程的步驟流程圖。

圖4是對應圖3設置至少一個半導體晶粒步驟的剖視圖。

圖5是對應圖3提供一個熱壓模具步驟的第一施方式的剖視圖。

圖6是對應圖3提供一個熱壓模具步驟的第二施方式的剖視圖。

主要元件符號說明