[發明專利]半導體封裝結構

有效

• 申請號: 201110122501.3
• 申請日: 2011-05-12
• 公開（公告）號: CN102779919A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 張超雄
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/56;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體封裝結構，包括一個基板、至少一個半導體晶粒、一個導電膠層以及一個熒光層，所述基板包括有一個第一電極、一個第二電極及一個反射層，其特征在于：所述反射層設置于所述第一、二電極上，所述導電膠層設置在所述反射層內部，并覆蓋所述第一、二電極，所述半導體晶粒通過所述導電膠層固定于所述第一、二電極上并形成電性連接，所述熒光層設置于所述導電膠層上并覆蓋所述半導體晶粒。

2.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述第一電極與所述第二電極左右對稱設置，并分別具有一個頂面，所述頂面設置所述反射層。

3.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述反射層的材料為反射材料或是高分子的材料，例如，PPA(Polyphthalamide)?塑料。

4.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述導電膠層為異方性導電膠層。

5.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述半導體晶粒具有不同極性的兩個電極接點，所述兩個電極接點位于所述導電膠層的導電方向上，并分別對應所述第一、二電極，所述半導體晶粒通過所述導電膠層與所述第一、二電極電性連接。

6.如權利要求5所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述半導體晶粒為發光二極管。

7.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述導電膠層在所述反射層與所述第一電極以及第二電極的銜接處，形成具有至少一個阻欄層。

8.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述熒光層包含至少一種熒光粉，所述熒光層的材料為環氧樹脂(epoxy)或硅利康(silicon)?。

9.一種半導體封裝結構制程，其包括以下的步驟：

提供一個基板，在所述基板上設置一個第一電極以及一個第二電極，并在所述第一、二電極上設置一個反射層；

形成一個導電膠層，在所述反射層內部，并覆蓋所述第一、二電極；

設置至少一個半導體晶粒，在所述導電膠層上，并使所述半導體晶粒具有的兩個電極接點對應所述第一、二電極；

提供一個熱壓模具，對所述半導體晶粒以及所述導電膠層進行熱壓合，使所述半導體晶粒與所述第一、二電極電性連接；及

形成一個熒光層，在所述導電膠層上，并覆蓋所述半導體晶粒。

10.如權利要求9所述的半導體封裝結構制程，其特征在于：所述提供一個基板步驟中，所述反射層是以模造成型方式成型，或與所述基板一體成型。

11.如權利要求9所述的半導體封裝結構制程，其特征在于：所述形成一個導電膠層步驟，所述導電膠層以液態或是膠帶型態填滿所述反射層內部的底面，并在垂直所述第一電極以及第二電極表面的方向具有導電性。

12.如權利要求9所述的半導體封裝結構制程，其特征在于：所述設置至少一個半導體晶步驟，所述兩個電極接點具有不同的極性，分別對應在所述第一電極以及第二電極表面的垂直方向。

13.如權利要求9所述的半導體封裝結構制程，其特征在于：所述提供一個熱壓模具步驟，所述熱壓模具包括一個底模以及一個內模，所述底模設置于所述基板的底部，所述內模對應所述反射層內部的空間。

14.如權利要求13所述的半導體封裝結構制程，其特征在于：所述內模的內表面上具有一個模穴，所述模穴對應所述半導體晶粒的外型。

15.如權利要求14所述的半導體封裝結構制程，其特征在于：所述內模的外周緣具有一個凹穴。

16.如權利要求9所述的半導體封裝結構制程，其特征在于：所述形成一個熒光層步驟，所述熒光層以射出成型方式成型。