[發明專利]晶片封裝體及其形成方法

有效

• 申請號: 201110122210.4
• 申請日: 2011-05-11
• 公開（公告）號: CN102244047A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: 林超彥;林義航
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

技術領域

本發明有關于晶片封裝體及其形成方法，且特別有關于感測晶片的晶片封裝體。

背景技術

傳統晶片封裝體的制程涉及多道圖案化制程與材料沉積制程，不僅耗費生產成本，還需較長的制程時間，因此，業界亟需更為簡化與快速的晶片封裝技術。

發明內容

本發明提供一種晶片封裝體，包括：一承載基底；一半導體基底，具有一上表面及一下表面，且設置于該承載基底之上；一元件區或感測區，位于該半導體基底的該上表面；一導電墊，位于該半導體基底的該上表面；一導電層，電性連接該導電墊，且自該半導體基底的該上表面延伸至該半導體基底的一側壁上；以及一絕緣層，位于該導電層與該半導體基底之間。

本發明所述的晶片封裝體，該半導體基底的該側壁傾斜于該半導體基底的該上表面。

本發明所述的晶片封裝體，該元件區或感測區于該上表面直接露出。

本發明所述的晶片封裝體，該導電層延伸進入該承載基底中。

本發明所述的晶片封裝體，延伸進入該承載基底中的該導電層包括平行于該半導體基底的該上表面的部分。

本發明所述的晶片封裝體，該絕緣層延伸進入該承載基底中。

本發明所述的晶片封裝體，還包括一電路板，其中該承載基底設置于該電路板之上，且該導電層通過一導電結構而與該電路板上的一接墊電性連接。

本發明所述的晶片封裝體，該導電結構包括一焊球或一焊線。

本發明所述的晶片封裝體，該導電結構為一焊球，且該焊球位于該承載基底與該電路板之間的一轉角處。

本發明所述的晶片封裝體，該元件區或感測區包括一指紋辨識區。

本發明提供一種晶片封裝體的形成方法，包括：提供一半導體基底，具有一上表面及一下表面，該半導體基底的該上表面處包括至少一元件區或感測區以及至少一導電墊；提供一承載基底，并將該半導體基底設置于該承載基底之上；自該半導體基底的該上表面形成一凹口；于該半導體基底的該上表面上與該凹口之中形成一絕緣層；于該絕緣層上形成一導電層，該導電層電性連接該導電墊，且自該半導體基底的該上表面延伸至該半導體基底的一側壁上；以及自該凹口的一底部切斷該承載基底以形成多個分離的晶片封裝體。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，該凹口延伸進入該承載基底之中。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，該導電層延伸在該凹口的該底部上。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括在形成該凹口之前將該半導體基底薄化。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，該半導體基底的薄化包括：在將該半導體基底設置于該承載基底之前，于該半導體基底的該上表面上設置一暫時性承載基底；以及以該暫時性承載基底為支撐，自該半導體基底的該下表面薄化該半導體基底。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括在形成該凹口之前，移除該暫時性承載基底。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括：提供一電路板，具有一接墊；將該承載基底設置于該電路板之上；以及形成一導電結構，該導電結構電性連接該接墊與該導電層。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，該導電結構包括一焊球或一焊線。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，該導電結構為一焊球，且該焊球位于該承載基底與該電路板之間的一轉角處。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，該元件區或感測區于該上表面直接露出。

本發明可大幅縮減晶片封裝制程所需的圖案化制程，且可顯著縮減制程時間與成本。

附圖說明

圖1A至1D顯示根據本發明一實施例的晶片封裝體的一系列制程剖面圖。

圖2顯示本發明一實施例的晶片封裝體的剖面圖。

附圖中符號的簡單說明如下：

10：晶片封裝體；100：半導體基底；100a、100b：表面；102：元件區或感測區；104：導電墊；106：暫時性承載基板；108、112：粘著層；110：承載基底；114：凹口；116：絕緣層；118：導電層；120：電路板；122：接墊；124：焊球；126：焊線。

具體實施方式