[發(fā)明專利]晶片封裝體及其形成方法

有效

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• 申請日: 2011-05-11
• 公開（公告）號: CN102244047A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林超彥;林義航
• 申請（專利權(quán)）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：

一承載基底；

一半導(dǎo)體基底，具有一上表面及一下表面，且設(shè)置于該承載基底之上；

一元件區(qū)或感測區(qū)，位于該半導(dǎo)體基底的該上表面；

一導(dǎo)電墊，位于該半導(dǎo)體基底的該上表面；

一導(dǎo)電層，電性連接該導(dǎo)電墊，且自該半導(dǎo)體基底的該上表面延伸至該半導(dǎo)體基底的一側(cè)壁上；以及

一絕緣層，位于該導(dǎo)電層與該半導(dǎo)體基底之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該半導(dǎo)體基底的該側(cè)壁傾斜于該半導(dǎo)體基底的該上表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該元件區(qū)或感測區(qū)于該上表面直接露出。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該導(dǎo)電層延伸進入該承載基底中。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片封裝體，其特征在于，延伸進入該承載基底中的該導(dǎo)電層包括平行于該半導(dǎo)體基底的該上表面的部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該絕緣層延伸進入該承載基底中。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一電路板，其中該承載基底設(shè)置于該電路板之上，且該導(dǎo)電層通過一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)而與該電路板上的一接墊電性連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片封裝體，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括一焊球或一焊線。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝體，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為一焊球，且該焊球位于該承載基底與該電路板之間的一轉(zhuǎn)角處。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該元件區(qū)或感測區(qū)包括一指紋辨識區(qū)。

11.一種晶片封裝體的形成方法，其特征在于，包括：

提供一半導(dǎo)體基底，具有一上表面及一下表面，該半導(dǎo)體基底的該上表面處包括至少一元件區(qū)或感測區(qū)以及至少一導(dǎo)電墊；

提供一承載基底，并將該半導(dǎo)體基底設(shè)置于該承載基底之上；

自該半導(dǎo)體基底的該上表面形成一凹口；

于該半導(dǎo)體基底的該上表面上與該凹口之中形成一絕緣層；

于該絕緣層上形成一導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層電性連接該導(dǎo)電墊，且自該半導(dǎo)體基底的該上表面延伸至該半導(dǎo)體基底的一側(cè)壁上；以及

自該凹口的一底部切斷該承載基底以形成多個分離的晶片封裝體。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該凹口延伸進入該承載基底之中。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該導(dǎo)電層延伸在該凹口的該底部上。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括在形成該凹口之前將該半導(dǎo)體基底薄化。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該半導(dǎo)體基底的薄化包括：

在將該半導(dǎo)體基底設(shè)置于該承載基底之前，于該半導(dǎo)體基底的該上表面上設(shè)置一暫時性承載基底；以及

以該暫時性承載基底為支撐，自該半導(dǎo)體基底的該下表面薄化該半導(dǎo)體基底。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括在形成該凹口之前，移除該暫時性承載基底。

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括：

提供一電路板，具有一接墊；

將該承載基底設(shè)置于該電路板之上；以及

形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接該接墊與該導(dǎo)電層。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括一焊球或一焊線。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為一焊球，且該焊球位于該承載基底與該電路板之間的一轉(zhuǎn)角處。

20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該元件區(qū)或感測區(qū)于該上表面直接露出。