[發明專利]太陽能電池的電極的制造方法與裝置無效
| 申請號: | 201110122206.8 | 申請日: | 2011-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN102779894A | 公開(公告)日: | 2012-11-14 |
| 發明(設計)人: | 黃博聲 | 申請(專利權)人: | 聯景光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣桃園縣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 電極 制造 方法 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種光電元件的制造方法與裝置,且特別涉及一種太陽能電池的電極的制造方法與裝置。
背景技術
太陽能是一種具有永不耗盡且無污染的能源,在解決目前石化能源所面臨的污染與短缺的問題時,一直是最受矚目的焦點。太陽能電池(solar?cell)可直接將太陽能轉換為電能,而成為目前相當重要的研究課題。
硅基太陽能電池為業界常見的一種太陽能電池。硅基太陽能電池的原理是將高純度的半導體材料(硅)加入一些摻雜物質使其呈現不同的性質,以形成p型半導體及n型半導體,并將pn兩型半導體相接合,如此即可形成一p-n接面。而p-n接面是由帶正電的施體離子與帶負電的受體離子所組成,在所述正、負離子所在的區域內,存在著一個內建電位(built-in?potential)。此內建電位可驅趕在此區域中的可移動載子,故此區域稱之為空乏區(depletion?region)。當太陽光照射到一個p-n結構的半導體時,光子所提供的能量可能會把半導體中的電子激發出來,產生電子-空穴對,電子與空穴均會受到內建電位的影響,空穴往電場的方向移動,而電子則往相反的方向移動。如果以導線將此太陽能電池與一負載(load)連接起來,形成一個回路(loop)就會有電流流過負載,這就是太陽能電池發電的原理。如果要對太陽能電池進行改良,最好是從提升其光電轉換效率著手。
目前業界提出一種稱為選擇性射極太陽能電池。此種選擇性射極太陽能電池,藉由在太陽能電池的前表面的金屬接點(電極)下方的形成濃摻雜區(選擇性射極),以提升太陽能電池的光電轉換效率。
在選擇性射極太陽能電池的制作中,使用雷射摻雜處理配合網印處理來形成選擇性射極以及金屬接點(電極)。然而,在進行了雷射摻雜處理之后,于基材上的雷射摻雜區與其他非雷射摻雜區的面并沒有明顯差異,因此在進行后續網印處理時,難以進行對準而無法使金屬接點正確地形成在雷射摻雜區上。而且,若在其他處理中形成對準標記,又會因對準標記與雷射摻雜區間的相對位移而使網印的金屬接點有所誤差。
發明內容
本發明提供一種太陽能電池的電極的制造方法與裝置,可以避免對準標記與雷射摻雜區(選擇性射極)之間的相對位移,進而減少后續網印處理的誤差。
本發明提出一種太陽能電池的電極的制造方法,具有下列步驟。進行雷射摻雜處理,以于基材上形成選擇性射極。進行雷射標記處理,以于基材表面形成對準標記,其中在同一處理腔室進行雷射摻雜處理與雷射標記處理。根據對準標記,進行電極網印處理,于選擇性射極上形成電極。
在本發明的一實施例中,在進行雷射標記處理之前進行雷射摻雜處理。
在本發明的一實施例中,在進行雷射標記處理之后進行雷射摻雜處理。
在本發明的一實施例中,同時進行雷射標記處理與雷射摻雜處理。
在本發明的一實施例中,于基材的周邊區域形成對準標記。
在本發明的一實施例中,于選擇性射極上形成對準標記。
本發明提出一種太陽能電池的電極的制造裝置,具有處理腔室、雷射光發射裝置及控制裝置。雷射光發射裝置設置在處理腔室內。控制裝置連接雷射光發射裝置,以控制雷射光發射裝置在處理腔室進行雷射摻雜處理與雷射標記處理。
在本發明的一實施例中,上述的控制裝置控制雷射光發射裝置先進行雷射標記處理之后,再進行雷射摻雜處理。
在本發明的一實施例中,上述的控制裝置控制雷射光發射裝置先進行雷射摻雜處理之后,再進行雷射標記處理。
在本發明的一實施例中,上述的控制裝置控制雷射光發射裝置同時進行雷射標記處理與雷射摻雜處理。
在本發明的一實施例中,上述雷射光發射裝置進行雷射摻雜處理,以于基材上形成選擇性射極。而且,雷射光發射裝置進行雷射標記處理,以于基材上形成對準標記。
在本發明的一實施例中,上述的雷射光發射裝置進行雷射標記處理,以于基材的周邊區域形成對準標記。
在本發明的一實施例中,上述的雷射光發射裝置進行雷射標記處理,以于選擇性射極上形成對準標記。
在本發明的一實施例中,上述的雷射光發射裝置具有摻雜雷射元件及標記雷射元件。摻雜雷射元件用以發出摻雜雷射光,以進行雷射摻雜處理。標記雷射元件用以發出標記雷射光,以進行雷射標記處理。
基于上述,本發明的太陽能電池的電極的制造方法與裝置,可以避免對準標記與雷射摻雜區(選擇性射極)之間的相對位移,進而減少后續網印處理的誤差。
而且,將對準標記形成在雷射摻雜區上,由于不會增加太陽能電池的表面遮光區,因此不會降低太陽能電池的光電轉換效率。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于聯景光電股份有限公司,未經聯景光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110122206.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:二氫橙酮、苯并呋喃、橙烷類衍生物及其用途
- 下一篇:顯示面板組件及其制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





