[發明專利]液晶顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201110120059.0 | 申請日: | 2011-05-04 |
| 公開(公告)號: | CN102236228A | 公開(公告)日: | 2011-11-09 |
| 發明(設計)人: | 金善宇;李載鈞;吳載映;崔大正 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1335;G02F1/1333;H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;鐘強 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液晶 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
本發明要求2010年5月4日于韓國申請的韓國專利申請10-2010-004218的優先權,通過參考將其全部內容結合于此。
技術領域
本發明涉及一種液晶顯示裝置,并且更特別地,涉及一種液晶顯示裝置及其制造方法。
背景技術
直到最近,顯示裝置還通常使用陰極射線管(CRT)。目前,進行了很多努力和研究來研發諸如液晶顯示(LCD)裝置、等離子顯示面板(PDP)、場發射顯示器和電致發光顯示器(ELD)等不同類型的平板顯示器作為CRT的替代品。在這些平板顯示器中,LCD裝置具有諸如高分辨率、輕質量、薄厚度、緊湊尺寸和低的電源電壓等許多優點。
通常,LCD裝置包括兩個基板,這兩個基板間隔開并彼此相對,在兩個基板之間有液晶材料。這兩個基板包括彼此相對的電極以便在施加電壓時在電極之間產生橫跨液晶材料的電場。液晶材料中的液晶分子的取向根據感應電場的強度改變到感應電場的方向,從而改變LCD裝置的光透射率。因此,LCD裝置通過改變感應電場的強度顯示圖象。
圖1是現有技術的LCD裝置的橫截面圖。
參照圖1,LCD裝置包括液晶面板10和該液晶面板下方的背光,該液晶面板10包括陣列基板、濾色器基板以及在陣列基板和濾色器基板之間的液晶層50。
陣列基板包括在第一基板1上彼此交叉以限定像素區域P的柵極線(未示出)和數據線4。薄膜晶體管Tr形成在靠近柵極線和數據線4的交叉部分的開關區域TrA中。像素電極24形成在顯示區域AA中以充分地顯示圖象并連接到薄膜晶體管Tr。
薄膜晶體管Tr包括柵極電極11、柵極絕緣層13、半導體層15以及源極電極17和漏極電極19。
鈍化層21形成在具有薄膜晶體管Tr的第一基板1上,而像素電極24形成在鈍化層21上并連接到漏極電極19。
濾色器基板包括在第二基板2上由黑色樹脂制成的黑矩陣32。黑矩陣32屏蔽諸如柵極線、數據線4和薄膜晶體管等非顯示元件并暴露像素電極24。
紅(R)、綠(G)和藍(B)濾色器34對應于黑矩陣32的各個開口形成。公共電極36形成在濾色器34和黑矩陣32上。
在LCD裝置中,電場的非正態分布發生在由電極和線造成的臺階部分的周圍,這將導致液晶分子的非正常操作。因此,在臺階部分周圍發生漏光。
黑矩陣32位于非正常操作的液晶分子所在的區域,例如,位于柵極線和數據線4所在的區域,以防止漏光。
此外,黑矩陣32延伸以便黑矩陣32覆蓋數據線4及數據線4兩側處的像素電極24部分。
例如,黑矩陣32被構造成具有VAC(視角干擾)邊界D以防止VAC缺陷,該VAC缺陷是指根據觀察者穿過數據線4和像素電極24之間的分開區域的視角可見到漏光。然而,在這種情況下,孔徑比降低。
為了解決這些問題,提出圖2所示的結構。參照圖2,與像素電極重疊以形成儲能電容的公共線6形成在數據線4下方。這種結構起到阻擋穿過數據線4和像素電極24之間的分開區域的漏光的作用,因而防止了VAC缺陷。在這種情況下,黑矩陣32不需要VAC邊界(圖1中的D),因而提高了孔徑比。
然而,在圖2的裝置中,由于公共線6在數據線4的下方,公共線6和數據線4與作為電介質的柵極絕緣層13形成寄生電容。該寄生電容起電阻器的作用并導致信號延遲和電流消耗增加。因此,可靠性降低,并導致數據線斷開。
發明內容
因此,本發明的目的是提供一種液晶顯示裝置及其制造方法,基本上消除了由現有技術的限制和缺點導致的一個或多個問題。
本發明的優點是提供一種能夠提高孔徑比和亮度的液晶顯示裝置及其制造方法。
本發明的附加特征和優點將在下面描述中公開,并且一部分根據描述將是明顯的,或者通過實施本發明是可被認識的。本發明的這些和其他優點將能通過這里的書面說明及其權利要求以及說明書附圖特別指出的結構認識到和獲得。
為了實現這些和其他優點并根據本發明的目的,如同這里所具體表達和廣泛描述的,液晶顯示裝置包括:陣列基板、相對基板以及在該陣列基板和該相對基板之間的液晶層。該陣列基板包括:在第一基板上彼此交叉以限定像素區域的柵極線和數據線,與柵極線平行的公共線,從該公共線延伸的第一和第二公共線圖案,其中數據線在第一和第二公共線圖案之間,連接到柵極線和數據線的薄膜晶體管,連接到薄膜晶體管并位于像素區域的像素電極,以及位于柵極線、公共線、第一和第二公共線圖案下方的無機黑矩陣,其中位于第一和第二公共線圖案下方的無機黑矩陣屏蔽數據線。該相對基板包括在第二基板上的公共電極。
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