[發(fā)明專利]液晶顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110120059.0
• 申請日: 2011-05-04
• 公開（公告）號: CN102236228A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金善宇;李載鈞;吳載映;崔大正
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1335;G02F1/1333;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種液晶顯示裝置，包括：

陣列基板，所述陣列基板包括：

在第一基板上彼此交叉以限定像素區(qū)域的柵極線和數(shù)據(jù)線；

與所述柵極線平行的公共線；

從所述公共線延伸的第一和第二公共線圖案，其中所述數(shù)據(jù)線位于所述第一和第二公共線圖案之間；

連接到所述柵極線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；

連接到所述薄膜晶體管并在所述像素區(qū)域中的像素電極；以及

在所述柵極線、公共線以及第一和第二公共線圖案下方的無機黑矩陣，其中位于所述第一和第二公共線圖案下方的無機黑矩陣屏蔽所述數(shù)據(jù)線；

所述液晶顯示裝置還包括：

包括在第二基板上的公共電極的相對基板；以及

在所述陣列基板和所述相對基板之間的液晶層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述無機黑矩陣由選自包含鍺、碳化鍺和硅化鍺的鍺組中的一種材料制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述無機黑矩陣具有大約E+15Ωcm或更高的電阻率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述無機黑矩陣在大約550nm的波長下具有大約5.3的光密度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述無機黑矩陣具有大約到大約的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述薄膜晶體管包括連接到所述柵極線的柵極電極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層以及源極電極和漏極電極，并且其中所述漏極電極連接到所述像素電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述相對基板還包括樹脂制成的黑矩陣和填充所述樹脂制成的黑矩陣的開口的濾色器。

8.一種制造液晶顯示裝置的方法，所述方法包括：

在第一基板上形成無機黑矩陣，以及在所述無機黑矩陣上的柵極線、柵極電極、公共線以及第一和第二公共線圖案；

在所述柵極線、所述柵極電極、所述公共線以及所述第一和第二公共線圖案上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成有源層、歐姆接觸層、數(shù)據(jù)線以及源極電極和漏極電極，其中所述數(shù)據(jù)線在所述第一和第二公共線圖案之間并位于所述無機黑矩陣上方，并且和與其交叉的柵極線限定像素區(qū)域；

在所述源極電極和漏極電極上形成鈍化層；以及

在所述鈍化層上形成連接到所述漏極電極的像素電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中形成所述無機黑矩陣、所述柵極線、所述柵極電極、所述公共線以及所述第一和第二公共線圖案是通過一次掩模處理來執(zhí)行的。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括：

在第二機板上形成黑矩陣；以及

形成填充所述黑矩陣的開口的濾色器。