[發(fā)明專利]等離子顯示器的尋址驅(qū)動(dòng)電路

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110119984.1
• 申請(qǐng)日: 2011-05-10
• 公開（公告）號(hào): CN102142225A
• 公開（公告）日: 2011-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 霍偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 四川虹歐顯示器件有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/288
• 分類號(hào): G09G3/288
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及等離子顯示器領(lǐng)域，具體而言，涉及一種等離子顯示器的尋址驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)

彩色交流等離子體(AC-PDP)是根據(jù)氣體放電的基本原理研制的，通過氣體放電發(fā)出的紫外光激發(fā)熒光粉發(fā)光來實(shí)現(xiàn)顯示。目前，三電極表面放電型AC-PDP是最具競(jìng)爭(zhēng)力的一種PDP類型，對(duì)于這種AC-PDP大多采用尋址與顯示分離(ADS)技術(shù)來實(shí)現(xiàn)灰度顯示的，即將一個(gè)電視場(chǎng)分為先后發(fā)光的8個(gè)或10個(gè)或12個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)均由準(zhǔn)備期、尋址期和維持期組成，通過適當(dāng)?shù)淖訄?chǎng)組合就可以實(shí)現(xiàn)256級(jí)的灰度顯示。

三電極表面放電型AC-PDP的三個(gè)電極正交狀分布于前后基板上，放電則在兩個(gè)基板之間進(jìn)行。前基板水平分布著維持電極(X電極)和掃描電極(Y電極)，在后基板上豎直分布著尋址電極(A電極)。X電極和Y電極相互平行，并與A電極正交。

圖1為相關(guān)技術(shù)中ADS驅(qū)動(dòng)技術(shù)中一個(gè)子場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)波形的示意圖。如圖1所示，分為準(zhǔn)備期、尋址期和維持期。在準(zhǔn)備期，三電極相互配合，擦除上一子場(chǎng)遺留的壁電荷，使全屏所有顯示單元達(dá)到一致的初始狀態(tài)；在尋址期，驅(qū)動(dòng)電路對(duì)各行按照先奇后偶、自上而下的順序進(jìn)行掃描尋址，而在A電極寫入圖像編碼數(shù)據(jù)，使所有在該子場(chǎng)要顯示的單元積累起合適的壁電荷；在維持期，X電極和Y電極交替加上維持電壓，使在尋址期積累了壁電荷的單元產(chǎn)生放電，從而實(shí)現(xiàn)圖像的顯示。

準(zhǔn)備期開始時(shí)，三個(gè)電極上所加電壓都是0V，但是由于上一場(chǎng)或上一子場(chǎng)維持期結(jié)束時(shí)的最后一個(gè)維持脈沖加在X電極上，維持放電后在X電極上積累負(fù)的壁電荷，在Y電極上積累了正的壁電荷，因此，在Y電極上先加遠(yuǎn)大于著火電壓的寬正斜波電壓(Vsetup≈350V)，使X和Y電極間發(fā)生放電，放電后兩個(gè)電極上分別積累了正的壁電荷和負(fù)的壁電荷，隨后在Y電極上加一個(gè)寬的負(fù)斜波電壓(VY≈170V)，在X電極上加一正的臺(tái)階電壓(Vb≈150V)，使X和Y電極之間緩慢達(dá)到著火電壓，進(jìn)行放電，中和掉X和Y電極上正的壁電荷和負(fù)的壁電荷，最后使全屏所有單元的狀態(tài)達(dá)到一致的熄滅狀態(tài)，隨后的尋址期就可以準(zhǔn)確的尋址到各個(gè)單元。傳統(tǒng)A驅(qū)動(dòng)電路如圖2所示，正尋址電壓Va是通過開關(guān)電源產(chǎn)生的，Va直接和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片的Vpp端連接，GND和低壓端連接，整個(gè)尋址期正尋址電壓恒為Va，波形如圖1所示。

ADS方法存在一個(gè)主要缺點(diǎn)就是尋址占用的時(shí)間過長，而且隨著顯示器分辨率的提高，所需要的尋址時(shí)間就更長，尋址時(shí)間加長就意味著真正用于維持顯示的時(shí)間變短，這對(duì)于提高顯示器的亮度是不利的。為了消除等離子顯示器采用ADS方法時(shí)存在的偽輪廓問題，一般可以采用增加顯示子場(chǎng)的方法，但是增加子場(chǎng)數(shù)也意味著尋址時(shí)間的大大增加，如此也會(huì)大大減小維持時(shí)間。如何減小尋址時(shí)間已成為PDP驅(qū)動(dòng)中面臨的一個(gè)重要問題，特別是在高分辨率的場(chǎng)合中就顯得更為重要。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)相關(guān)技術(shù)中ADS技術(shù)中存在的尋址占用時(shí)間過長等問題，本發(fā)明提供了一種等離子顯示器的尋址驅(qū)動(dòng)電路，以解決上述問題至少之一。

根據(jù)本發(fā)明，提供了一種尋址驅(qū)動(dòng)電路。

根據(jù)本發(fā)明的尋址驅(qū)動(dòng)電路除了包括：數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片，還包括：正尋址電壓產(chǎn)生電路，位于正尋址電壓端Va和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片的VPP端之間，用于在尋址期間內(nèi)在Vpp端產(chǎn)生一個(gè)以上升斜波形式變化的正尋址電壓。

上述正尋址電壓產(chǎn)生電路包括：ΔVa生成電路、電容器、第一功率開關(guān)管、第二開關(guān)功率管以及第一二極管，其中，電容器的正極和第一二極管的陰極連接，電容器的負(fù)極和正尋址電壓端Va相連接；第一二極管的陽極和ΔVa生成電路相連接，電容器的正極與第一功率開關(guān)管的漏極連接，第一功率開關(guān)管的源極和Vpp端連接；第二功率開關(guān)管的源極和Va連接，第二功率開關(guān)管的漏極和第一功率開關(guān)管的源極連接。

上述第一功率開關(guān)管工作在諧波方式下。

上述尋址驅(qū)動(dòng)電路還包括：第二二極管以及電阻，其中，第二二極管的陰極與電阻的一端并接至正尋址電壓產(chǎn)生電路中第一功率開關(guān)管的源極，第二二極管的陽極與電阻的另一端并接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片的VPP端。

上述ΔVa生成電路生成的電壓ΔVa滿足以下條件：5V≤ΔVa≤20V。

上述電容器兩端的電壓為ΔVa，其中，5V≤ΔVa≤20V。

上述第一功率開關(guān)管與第二功率開關(guān)管互鎖。

上述第一功率開關(guān)管與第二功率開關(guān)管為以下至少之一：功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET、絕緣柵雙極晶體管IGBT。