[發(fā)明專利]等離子顯示器的尋址驅(qū)動電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110119984.1
• 申請日: 2011-05-10
• 公開（公告）號: CN102142225A
• 公開（公告）日: 2011-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 霍偉
• 申請（專利權(quán)）人: 四川虹歐顯示器件有限公司
• 主分類號: G09G3/288
• 分類號: G09G3/288
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明

1.一種等離子顯示器的尋址驅(qū)動電路，包括：數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片，其特征在于，所述尋址驅(qū)動電路還包括：

正尋址電壓產(chǎn)生電路，位于正尋址電壓端Va和所述數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片的VPP端之間，用于在尋址期間內(nèi)在所述Vpp端產(chǎn)生一個以上升斜波形式變化的正尋址電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的尋址驅(qū)動電路，其特征在于，所述正尋址電壓產(chǎn)生電路包括：ΔVa生成電路、電容器、第一功率開關(guān)管、第二開關(guān)功率管以及第一二極管，其中，所述電容器的正極和所述第一二極管的陰極連接，所述電容器的負(fù)極和所述正尋址電壓端Va相連接；所述第一二極管的陽極和所述ΔVa生成電路相連接，所述電容器的正極與所述第一功率開關(guān)管的漏極連接，所述第一功率開關(guān)管的源極和所述Vpp端連接；所述第二功率開關(guān)管的源極和Va連接，所述第二功率開關(guān)管的漏極和所述第一功率開關(guān)管的源極連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的尋址驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一功率開關(guān)管工作在諧波方式下。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的尋址驅(qū)動電路，其特征在于，尋址驅(qū)動電路還包括：第二二極管以及電阻，其中，所述第二二極管的陰極與所述電阻的一端并接至所述正尋址電壓產(chǎn)生電路中所述第一功率開關(guān)管的源極，所述第二二極管的陽極與所述電阻的另一端并接至所述數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片的VPP端。

5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的尋址驅(qū)動電路，其特征在于，所述ΔVa生成電路生成的電壓ΔVa滿足以下條件：5V≤ΔVa≤20V。

6.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的尋址驅(qū)動電路，其特征在于，所述電容器兩端的電壓為ΔVa，其中，5V≤ΔVa≤20V。

7.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的尋址驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一功率開關(guān)管與所述第二功率開關(guān)管互鎖。

8.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的尋址驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一功率開關(guān)管與所述第二功率開關(guān)管為以下至少之一：功率場效應(yīng)晶體管MOSFET、絕緣柵雙極晶體管IGBT。