[發(fā)明專利]一種臺階型帶材的厚度控制裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110119220.2 | 申請日: | 2011-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN102779720A | 公開(公告)日: | 2012-11-14 |
| 發(fā)明(設計)人: | 楊惟志;余波 | 申請(專利權)人: | 上海格林賽高新材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/48 |
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| 地址: | 201514 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 臺階 型帶材 厚度 控制 裝置 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種臺階型帶材的厚度控制裝置,具體涉及一種用于生產半導體晶體管功率元件引線框架用銅合金T型截面帶材的厚度控制裝置。
背景技術
用于半導體晶體管功率元件引線框架用銅合金異型帶坯的截面通常由厚薄不等的臺階組成,見圖1中序號1,薄料部分為尺寸t,其形成引線框架的引線部分,厚料部分為尺寸T,放置芯片和散熱,由于框架沖制和封裝的要求,銅合金異型帶的薄料部分尺寸t的公差要求為±0.01mm,厚料部分尺寸T的公差要求為±0.015mm,常見的厚度控制方法見圖1,位置傳感器2放置在軋機出口側T型截面帶材的厚料部位,檢測的厚度信號經放大送至厚度閉環(huán)控制系統(tǒng)(3)與系統(tǒng)中的厚度標準值進行比較運算后給出調整信號,動態(tài)控制壓下裝置(4)使孔型軋輥(5)上升或下降調整輥縫從而連續(xù)得到精度合格的尺寸厚度,但是由于異型截面軋制時的特殊性,當軋前T型帶材(7)的厚料部分通過孔型軋輥(5)的凹形槽C時(見圖3和圖4),由于各種原因軋制時T型帶材(7)的中心很難與孔型C的中心相吻合,此時厚料部位的金屬流動變得非常復雜而且不穩(wěn)定,這樣會造成厚料尺寸的波動加劇,降低了厚料尺寸信息的可靠性,從而使得整個厚度控制系統(tǒng)精度降低,使產品的質量不穩(wěn)定。
發(fā)明內容
本發(fā)明目的就是為了克服上述現有技術存在的不足而提供的一種臺階型帶材的厚度控制裝置。
本發(fā)明的目的可以通過以下技術方案來實現:該裝置包括軋后T型帶材(1)、位置傳感器(2)、厚度閉環(huán)控制系統(tǒng)(3)、壓下裝置(4)、孔型軋輥(5)、平軋輥(6)、和軋前T型帶材(7),所述的位置傳感器(2)共有二對上下放置在軋機出口側軋后T型帶材(1)二側薄料部分的中部,所述的厚度閉環(huán)控制系統(tǒng)(3)將位置傳感器(2)測得的厚度信號與系統(tǒng)中的厚度標準值進行比較運算后給出調整信號,動態(tài)控制壓下裝置(4)使孔型軋輥(5)上升或下降調整輥縫從而得到精度合格的尺寸厚度,即厚度控制系統(tǒng)是通過控制T型帶材二邊的薄料部分的尺寸來實現的。
與現有技術相比,從圖2和圖6厚薄料尺寸公差波動圖可看出,以二邊薄料為測量基準的厚度控制系統(tǒng)加工的T型帶材的厚度精度更高更穩(wěn)定,產品質量從而得到改善。
附圖說明
圖1為過去厚度控制系統(tǒng)圖。
圖2為過去厚薄料尺寸公差波動圖。
圖3為圖1中的A-A斷面圖。
圖4為圖3中的B部局部放大圖。
圖5為本發(fā)明厚度控制系統(tǒng)圖。
圖6為本發(fā)明厚薄料尺寸公差波動圖。
具體實施方式
以下是結合附圖按照本發(fā)明技術方案所作的實施例,用以進一步解釋本發(fā)明。
見圖1軋前T型帶材(7)的薄料厚度t=2.5,厚料厚度T=8.8,軋后T型帶材(1)的薄料厚度t=1.3,厚料厚度T=4.45,圖2是采用過去的厚度控制系統(tǒng)得到的厚薄料尺寸公差波動圖,此時位置傳感器(2)位于軋機出口側軋后T型帶材(1)厚料部位的中部,圖5是本發(fā)明厚度控制系統(tǒng)圖,此時位置傳感器(2)位于軋機出口側軋后T型帶材(1)二側薄料部分的中部,所述的位置傳感器(2)共有四個上下分別成對放置,所述的壓下裝置(4)有二個,分別作用于孔型軋輥(5)左右二端的上部,圖6為本發(fā)明厚薄料尺寸公差波動圖,比較圖2和圖6厚薄料尺寸公差波動圖得出,當厚度控制系統(tǒng)以薄料部分為控制甚準時加工的T型帶材的厚度公差波動明顯趨小,尺寸精度更高、更穩(wěn)定。
所述的孔型軋輥(5)可以安裝在平軋輥(6)的上面,也可以安裝在平軋輥(6)的下面,當安裝在平軋輥(6)下面時,壓下裝置(4)使平軋輥(6)上升或下降調整輥縫從而得到精度合格的尺寸厚度,此時T型帶材的凸面朝下,這種情況仍在本專利的保護范圍。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





