[發(fā)明專利]監(jiān)控金屬硅化物層形成工藝的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110117350.2
• 申請日: 2011-05-06
• 公開（公告）號: CN102214551A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發(fā)明（設計）人: 江紅
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術領域

本發(fā)明的實施例涉及半導體技術，特別涉及一種監(jiān)控金屬硅化物層形成工藝的方法。

背景技術

在半導體的制作工藝中，為了減小互連結構與其他器件之間的接觸電阻，通常會在器件表面形成金屬硅化物層。為了形成所述金屬硅化物層，首先在器件表面形成介質(zhì)層，之后，將需要形成金屬硅化物層的區(qū)域表面的介質(zhì)層刻蝕去除，露出用來形成金屬硅化物層的區(qū)域；隨后，在器件表面上繼續(xù)沉積金屬材料及保護層，所述保護層在后續(xù)退火處理中防止金屬材料氧化；接著，通過快速熱處理的方式將所述金屬材料與器件表面的硅熔合，以形成金屬硅化物層。但是，在實際中發(fā)現(xiàn)，所形成的金屬硅化物層的電學性質(zhì)受金屬硅化物層形成工藝的影響比較大。在實際中還發(fā)現(xiàn)，在p型摻雜區(qū)和n型摻雜區(qū)的交界處表面所形成的金屬硅化物層的電學性質(zhì)越發(fā)容易受到金屬硅化物層形成工藝的影響，所以對金屬硅化物層形成工藝進行監(jiān)控是必要的，隨著工藝尺寸的縮小，對金屬硅化物層形成工藝進行有效監(jiān)控越發(fā)重要。

在公開號為CN101494158A的中國專利申請中公開了一種監(jiān)控金屬硅化物層形成工藝的方法，具體包括：在形成有金屬硅化物層的源漏極區(qū)施加正向電壓，測量源漏極區(qū)的正向導通電流；然后判斷測量的正向導通電流是否在允許值范圍內(nèi)，若前者超出后者，則說明金屬硅化物層形成工藝存在問題；若前者未超出后者，則說明金屬硅化物層形成工藝符合要求。但是所述方法并沒有對金屬硅化物層形成工藝，特別是在p型摻雜區(qū)和n型摻雜區(qū)交界處的表面形成金屬硅化物層的金屬硅化物層形成工藝進行有效監(jiān)控。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實施例解決的問題是提供一種監(jiān)控金屬硅化物層形成工藝的方法，以對金屬硅化物層形成工藝，特別是在p型摻雜區(qū)和n型摻雜區(qū)交界處的表面形成金屬硅化物層的金屬硅化物層形成工藝進行有效監(jiān)控。

為解決上述問題，本發(fā)明的實施例提供一種監(jiān)控金屬硅化物層形成工藝的方法，包括：

提供目標電阻值范圍；

提供半導體襯底，所述半導體襯底包括沿半導體襯底表面交替排布的n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)，相鄰的n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)有界面；

在所述n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)表面形成金屬硅化物層，所述金屬硅化物層與相鄰的n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)的界面相交；

測量所述金屬硅化物層的電阻值，并與目標電阻值范圍進行比較，如果在目標電阻值范圍之內(nèi)，則所述金屬硅化物層形成工藝滿足要求，如果在目標電阻值范圍之外，則所述金屬硅化物層形成工藝不滿足要求。

可選地，采用自對準工藝在所述n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)表面形成金屬硅化物層。

可選地，所述金屬硅化物層在平行于半導體襯底的表面形成盤旋狀的蛇形排布。

可選地，所述金屬硅化物層的金屬材料是鈦、鈷、鎳中的任意一種。

可選地，在所述金屬硅化物層的金屬材料是鈷的工藝中，所述目標電阻值范圍是1-20ohm/sqr。

相應地，本發(fā)明還提供一種監(jiān)控金屬硅化物層形成工藝的結構，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底包括沿半導體襯底表面交替排布的n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)，相鄰的n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)有界面；還包括：

位于所述n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)表面的金屬硅化物層，所述金屬硅化物層與相鄰的n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)界面相交。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的實施例具有以下優(yōu)點：

本發(fā)明的實施例形成與相鄰的n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)的界面相交的金屬硅化物層，通過測量所形成的金屬硅化物層的電阻值，并與目標電阻值進行比較，而判斷金屬硅化物層形成工藝是否滿足要求，從而提供了一種有效監(jiān)控金屬硅化物層形成工藝的方法，特別是提供了一種對在n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)交界處表面形成金屬硅化物層的工藝進行有效監(jiān)控的方法；

其次，本發(fā)明的實施例中，所形成的金屬硅化物層在平行于半導體襯底的表面形成盤旋式排布，比如形成盤旋狀的蛇形排布，從而可以同時對在n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)交界處不同位置形成金屬硅化物層，并且不同位置所形成的金屬硅化物層是連續(xù)的，所以可以通過一次測量，并與目標電阻值進行比較，檢測形成于不同位置的金屬硅化物層是否有缺陷，從而提高了監(jiān)控的效率。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的實施例所提供的監(jiān)控金屬硅化物層形成工藝的方法的流程示意圖；

圖2是本發(fā)明一個實施例所提供的半導體襯底的俯視圖示意圖；

圖3是在本發(fā)明一個實施例所提供的半導體襯底表面形成金屬硅化物層后的俯視圖示意圖。

具體實施方式