[發(fā)明專(zhuān)利]監(jiān)控金屬硅化物層形成工藝的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110117350.2
• 申請(qǐng)日: 2011-05-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102214551A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江紅
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/00;H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種監(jiān)控金屬硅化物層形成工藝的方法，其特征在于，包括：

提供目標(biāo)電阻值范圍；

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括沿半導(dǎo)體襯底表面交替排布的n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)，相鄰的n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)有界面；

在所述n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)表面形成金屬硅化物層，所述金屬硅化物層與相鄰的n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)的界面相交；

測(cè)量所述金屬硅化物層的電阻值，并與目標(biāo)電阻值范圍進(jìn)行比較，如果在目標(biāo)電阻值范圍之內(nèi)，則所述金屬硅化物層形成工藝滿足要求，如果在目標(biāo)電阻值范圍之外，則所述金屬硅化物層形成工藝不滿足要求。

2.依據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)控金屬硅化物層形成工藝的方法，其特征在于，采用自對(duì)準(zhǔn)工藝在所述n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)表面形成金屬硅化物層。

3.依據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)控金屬硅化物層形成工藝的方法，其特征在于，所述金屬硅化物層在平行于半導(dǎo)體襯底的表面形成盤(pán)旋狀的蛇形排布。

4.依據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的監(jiān)控金屬硅化物層形成工藝的方法，其特征在于，所述金屬硅化物層的金屬材料是鈦、鈷、鎳中的任意一種。

5.依據(jù)權(quán)利要求4所述的監(jiān)控金屬硅化物層形成工藝的方法，其特征在于，在所述金屬硅化物層的金屬材料是鈷的工藝中，所述目標(biāo)電阻值范圍是1-20ohm/sqr。

6.一種監(jiān)控金屬硅化物層形成工藝的結(jié)構(gòu)，包括：

半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括沿半導(dǎo)體襯底表面交替排布的n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)，相鄰的n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)有界面；

其特征在于，還包括：

位于所述n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)表面的金屬硅化物層，所述金屬硅化物層與相鄰的n型摻雜區(qū)和p型摻雜區(qū)的界面相交。