[發明專利]發光器件封裝和具有發光器件封裝的發光系統有效
| 申請號: | 201110113724.3 | 申請日: | 2011-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN102237479A | 公開(公告)日: | 2011-11-09 |
| 發明(設計)人: | 趙笵哲 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 夏凱;謝麗娜 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 封裝 具有 系統 | ||
1.一種發光器件封裝,包括:
主體;
在所述主體的表面上的絕緣層;
在所述絕緣層上的至少一個電極層;以及
在所述至少一個電極層上的發光器件,
其中所述電極層包括熱擴散層和在所述熱擴散層上的反射層,并且所述熱擴散層具有是所述反射層的厚度的至少二十倍的厚度。
2.根據權利要求1所述的發光器件封裝,其中所述電極層包括:
在所述發光器件的區域下面的結合層;
在所述結合層和所述反射層之間的粘附層;
在所述熱擴散層和所述反射層之間的阻擋層;以及
在所述阻擋層和所述絕緣層之間的晶種層。
3.根據權利要求1所述的發光器件封裝,其中所述電極層包括
第一區域,所述第一區域包括至少六個金屬層,其中所述發光器件被布置在所述第一區域上;和
在所述第一區域的外部處的第二區域,所述第二區域包括至少四個金屬層。
4.根據權利要求1或3所述的發光器件封裝,其中所述電極層進一步包括晶種層,所述晶種層被布置在所述絕緣層和所述熱擴散層之間。
5.根據權利要求1至3中的任意一項所述的發光器件封裝,其中所述電極層的厚度是所述絕緣層的厚度的至少二十倍。
6.根據權利要求1至3中的任意一項所述的發光器件封裝,其中所述熱擴散層的厚度處于10~50μm的范圍內。
7.根據權利要求1至3中的任意一項所述的發光器件封裝,其中所述電極層包括具有位于所述反射層下面的結合層的多個電極層,并且所述熱擴散層的厚度是所述結合層的厚度的至少66倍。
8.根據權利要求1至3中的任意一項所述的發光器件封裝,其中所述熱擴散層的厚度是所述電極層的厚度的至少85%。
9.根據權利要求1或3所述的發光器件封裝,其中所述電極層進一步包括在所述熱擴散層和所述反射層之間的阻擋層。
10.根據權利要求6所述的發光器件封裝,其中所述熱擴散層包括銅(Cu),并且具有處于30μm?±2μm的范圍內的厚度。
11.根據權利要求1至3中的任意一項所述的發光器件封裝,其中所述熱擴散層包括從由Cu、Al、Au以及Ag組成的組中選擇的至少一個,并且所述反射層包括從由Al、Al合金以及Ag合金組成的組中選擇的至少一個。
12.根據權利要求1至3中的任意一項所述的發光器件封裝,
其中所述主體具有腔體,所述腔體具有開放的頂表面,并且成型構件覆蓋所述腔體中的所述發光器件。
13.根據權利要求12所述的發光器件封裝,其中所述主體包括硅基導電材料。
14.根據權利要求12所述的發光器件封裝,其中所述主體被布置有至少一個導通孔構件,所述導通孔構件通過穿過所述主體從所述主體的頂表面延伸到所述主體的下表面。
15.根據權利要求12所述的發光器件,其中所述結合層具有大約30nm或者更小的表面粗糙。
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