[發明專利]一種TFT陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201110113092.0
• 申請日: 2011-05-03
• 公開（公告）號: CN102629569A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 寧策
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及液晶面板制造領域，尤其涉及一種TFT陣列基板及其制造方法。

背景技術

21世紀的顯示領域是平板顯示時代。目前，絕大多數的平板顯示器件都是有源矩陣液晶顯示器件，由于a-Si易于在低溫下大面積制備，且技術成熟，因此成為現階段使用最廣泛的技術。

但a-Si材料帶隙只有1.7V，對可見光不透明，并在可見光范圍內具有光敏性，因此需增加不透明的黑矩陣來阻擋光線，這就增加了TFT?LCD的工藝復雜性，提高了成本，降低了開口率。另外，為了獲得足夠的亮度，還需要增加光源的光強，導致功率消耗增加。因此，雖然多晶硅性能優越，但存在制備工藝復雜，成本高，在可見光波段不透明等諸多問題。

針對上述問題，若用全透明TFT代替a-Si?TFT作為像素開關則可以有效解決。但現有的全透明TFT一般需要進行四次構圖工藝，工藝較為復雜。

發明內容

本發明提供一種TFT陣列基板及其制造方法，解決了現有技術中制造工藝復雜的問題。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一方面，提供一種TFT陣列基板制造方法，包括：

在基板上沉積第一透明導電層，通過第一次構圖工藝處理得到柵線和柵極；

在所述柵線和柵極上分別沉積柵絕緣層、透明半導體有源層和第二透明導電層；通過第二次構圖工藝處理得到由所述第二透明導電層構成的數據線、源極、漏極和像素電極，并形成TFT溝道；

在所述數據線、源極、漏極和像素電極上沉積鈍化層，通過第三次構圖工藝處理去掉TFT、數據線、柵線與像素電極之間的透明半導體有源層，并形成由所述鈍化層構成的保護膜圖形。

所述像素電極區域的厚度比所述數據線、源極、漏極區域的厚度薄。

所述第二透明導電層具體包括：像素電極薄膜層和數據線源漏電極薄膜層，其中，所述像素電極薄膜層位于所述數據線源漏電極薄膜層的下方，所述像素電極薄膜層薄于所述數據線源漏電極薄膜層；

所述通過第二次構圖工藝處理得到由所述第二透明導電層構成的數據線、源極、漏極和像素電極，并形成TFT溝道包括：通過第二次構圖工藝處理得到由所述像素電極薄膜層構成的像素電極，和由所述數據線源漏電極薄膜層構成的數據線、源極、漏極，并形成TFT溝道。

所述第二次構圖工藝處理包括：在所述第二透明導電層上涂覆一層光刻膠；用雙縫衍射或半色調掩膜板對所述光刻膠進行曝光、顯影；其中，光刻膠完全保留區域為數據線、源極、漏極區域；光刻膠部分保留區域為像素電極區域，無光刻膠區域為TFT溝道區域及TFT、數據線、柵線與像素電極之間的區域。

所述第一透明導電層包括ITO層；所述透明半導體有源層包括ZnO有源層。

所述第二透明導電層包括ZnO:Al透明導電層。

所述像素電極薄膜層包括ZnO:Al薄膜層；所述數據線源漏電極薄膜層包括ITO薄膜層。

另一方面，提供一種TFT陣列基板，包括：

基板；

構成柵線和柵極的第一透明導電層，形成于所述基板之上；

柵絕緣層，形成于所述第一透明導電層之上；

透明半導體有源層，形成在所述柵絕緣層之上，且位于所述柵極上方；

構成數據線、源極、漏極和像素電極的第二透明導電層，形成于所述柵絕緣層之上，且所述源極、漏極相間隔地位于所述透明半導體有源層之上，與所述透明半導體有源層形成TFT溝道；

鈍化層，形成于所述第二透明導電層之上。

所述像素電極區域的厚度比所述數據線、源極、漏極區域的厚度薄。

所述第二透明導電層具體包括：構成像素電極的像素電極薄膜層和構成數據線、源極、漏極的數據線源漏電極薄膜層，且所述像素電極薄膜層位于所述數據線源漏電極薄膜層的下方。

本發明提供的TFT陣列基板及其制造方法，在基板上沉積第一透明導電層，通過第一次構圖工藝處理得到柵線和柵極；在柵線和柵極上分別沉積柵絕緣層、透明半導體有源層和第二透明導電層；通過第二次構圖工藝處理得到由第二透明導電層構成的數據線、源極、漏極和像素電極，并形成TFT溝道；在數據線、源極、漏極和像素電極上沉積鈍化層，通過第三次構圖工藝處理去掉TFT、數據線、柵線與像素電極之間的透明半導體有源層，并形成由鈍化層構成的保護膜圖形。這樣一來，只需三次構圖工藝處理就能夠得到全透明的TFT陣列基板，比現有技術中采用四次構圖工藝處理的制造方法簡便很多，節約了制造成本，提高了制造效率。

附圖說明