[發(fā)明專利]一種TFT陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110113092.0
• 申請日: 2011-05-03
• 公開（公告）號: CN102629569A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 寧策
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種TFT陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

在基板上沉積第一透明導(dǎo)電層，通過第一次構(gòu)圖工藝處理得到柵線和柵極；

在所述柵線和柵極上分別沉積柵絕緣層、透明半導(dǎo)體有源層和包括透明導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層；通過第二次構(gòu)圖工藝處理得到由所述第二導(dǎo)電層構(gòu)成的數(shù)據(jù)線、源極、漏極和像素電極，并形成TFT溝道；

在所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極和像素電極上沉積鈍化層，通過第三次構(gòu)圖工藝處理去掉TFT、數(shù)據(jù)線、柵線與像素電極之間的透明半導(dǎo)體有源層，并形成由所述鈍化層構(gòu)成的保護(hù)膜圖形。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述像素電極區(qū)域的厚度比所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極區(qū)域的厚度薄。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層具體包括：像素電極薄膜層和數(shù)據(jù)線薄膜層，其中，所述像素電極薄膜層位于所述數(shù)據(jù)線薄膜層的下方，所述像素電極薄膜層薄于所述數(shù)據(jù)線源漏電極薄膜層；

所述通過第二次構(gòu)圖工藝處理得到由所述第二導(dǎo)電層構(gòu)成的數(shù)據(jù)線、源極、漏極和像素電極，并形成TFT溝道包括：

通過第二次構(gòu)圖工藝處理得到由所述像素電極薄膜層構(gòu)成的像素電極，和由所述數(shù)據(jù)線源漏電極薄膜層構(gòu)成的數(shù)據(jù)線、源極、漏極，并形成TFT溝道。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述第二次構(gòu)圖工藝處理包括：

在所述第二透明導(dǎo)電層上涂覆一層光刻膠；

用雙縫衍射或半色調(diào)掩膜板對所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影；其中，光刻膠完全保留區(qū)域為數(shù)據(jù)線、源極、漏極區(qū)域；光刻膠部分保留區(qū)域為像素電極區(qū)域，無光刻膠區(qū)域為TFT溝道區(qū)域及TFT、數(shù)據(jù)線、柵線與像素電極之間的區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層包括ITO層；所述透明半導(dǎo)體有源層包括ZnO有源層。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二透明導(dǎo)電層包括ZnO:Al透明導(dǎo)電層。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述像素電極薄膜層包括ZnO:Al薄膜層；所述數(shù)據(jù)線源漏電極薄膜層包括ITO薄膜層。

8.一種TFT陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

構(gòu)成柵線和柵極的第一透明導(dǎo)電層，形成于所述基板之上；

柵絕緣層，形成于所述第一透明導(dǎo)電層之上；

透明半導(dǎo)體有源層，形成在所述柵絕緣層之上，且位于所述柵極上方；

構(gòu)成包括透明導(dǎo)電層的的第二導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極和像素電極，形成于所述柵絕緣層之上，且所述源極、漏極相間隔地位于所述透明半導(dǎo)體有源層之上，與所述透明半導(dǎo)體有源層形成TFT溝道；

鈍化層，形成于所述第二導(dǎo)電層之上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述像素電極區(qū)域的厚度比所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極區(qū)域的厚度薄。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層具體包括：

構(gòu)成像素電極的像素電極薄膜層和構(gòu)成數(shù)據(jù)線、源極、漏極的數(shù)據(jù)線源漏電極薄膜層，且所述像素電極薄膜層位于所述數(shù)據(jù)線源漏電極薄膜層的下方，所述像素電極薄膜層薄于所述數(shù)據(jù)線源漏電極薄膜層。