[發明專利]一種壓變存儲技術的NMOS器件制作方法

有效

• 申請號: 201110112419.2
• 申請日: 2011-05-03
• 公開（公告）號: CN102768993A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 李凡;張海洋;黃怡
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種壓變存儲技術的NMOS器件制作方法，應用在具有硅襯底和NMOS器件的晶片上；在所述晶片器件面沉積第一氮化硅層，在所述晶片背面沉積第二氮化硅層，所述晶片尖峰退火后，其特征在于，該方法還包括：

所述第一氮化硅層上沉積第一二氧化硅層，所述第二氮化硅層上沉積第二二氧化硅層；

干法刻蝕去除所述第一二氧化硅層，露出第一氮化硅層；

濕法刻蝕去除所述第二氮化硅層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積第一和第二二氧化硅層是在爐管中沉積，所述爐管中通入氧氣，所述爐管中的溫度范圍是400到1150℃。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧氣與氮氣混合，所述氧氣和氮氣的體積比范圍是1∶50到1∶1。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積第一、第二二氧化硅層的厚度范圍是10埃到200埃。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法刻蝕對第一二氧化硅層和第一氮化硅層的刻蝕速率比范圍是10∶1到20∶1。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕所用的刻蝕溶液是熱磷酸溶液，所述熱磷酸溶液的溫度范圍是100到250攝氏度。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的時間范圍是30秒到10分鐘。