[發明專利]一種金剛線切割硅片的清洗方法

有效

• 申請號: 201110111779.0
• 申請日: 2011-04-30
• 公開（公告）號: CN102225406A
• 公開（公告）日: 2011-10-26
• 發明（設計）人: 李畢武;唐傳兵;劉振淮;黃振飛
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;B08B3/12;B08B3/02;B08B7/02
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 王凌霄

技術領域

本發明涉及切割硅片的后處理技術領域，特別是一種金剛線切割硅片的清洗方法。

背景技術

目前太陽能硅片的切割普遍使用多線切割機，市場上占有率比較多的是MB、HCT、NTC等.但是由于該切割工藝效率低下，一刀需要7～8h；在切割中需要使用SiC和PEG的混合砂漿，切割后其廢砂漿的排放嚴重污染環境.針對上述問題，目前國際上開發了新型切割工藝，金剛石線切割，其切割速度是普通線切割的2～3倍，切割過程中不需要使用SiC，使用對環境無污染的水性切削液。但是由于其切割原理不同，導致對硅片的表面形貌影響也不一樣，如果安正常的硅片清洗，硅片經過堿制絨其金字塔的覆蓋率非常小，反射率低，電池轉化效率也比較低。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供一種金剛線切割硅片的清洗方法，可以提高硅片堿制絨的金字塔覆蓋率、反射率以及電池效率。。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：一種金剛線切割硅片的清洗方法，金剛線切割的硅片首先經過脫膠粗洗處理，然后進行精洗，

硅片的脫膠粗洗處理經過多道清洗步驟，分別是：

1)在30～50℃水中清洗；

2)在堿性清洗劑中清洗，堿性清洗劑的pH＝9～10，溫度30～50℃；

3)在30～50℃水中清洗；

4)在50～70℃乳酸中清洗；

5)在30～50℃水中通過清洗；

6)在常溫水中清洗；

精洗工藝共經過多道清洗步驟和烘干處理，分別是：

1)在堿性清洗劑中清洗，堿性清洗劑的pH＝9～10，溫度70～90℃，該清洗步驟，配制1～3道；

2)在40～60℃水中清洗，該清洗步驟，配制1～3道；

3)在60～80℃水中清洗，該清洗步驟，配制1～3道；

4)硅片烘干，該烘干步驟，配制1～3道。

本發明的有益效果是：該金剛線切割硅片清洗工藝方法根本革新在于：通過對硅片清洗液的PH的提高、以及溫度的提高，使得其硅片表面更加干凈，表面損傷層去除更大，同時對于硅片的堿制絨工藝起到表面活化作用。這樣硅片在制絨時，金字塔絨面的覆蓋率較高，絨面比較均一。通過金剛線切割硅片清洗工藝方法的調整，硅片的反射率降低了3％左右，電池效率提高了0.3-0.7％。

具體實施方式

一種金剛線切割硅片的清洗方法，該方法如下：

(一)、金剛線切割的硅片按順序插入硅片花籃，進行脫膠粗洗工藝，粗洗工藝共經過6個水槽清洗，主要是除去硅片表面臟污和膠體，硅片粗洗的工藝步驟如下：粗洗的各步驟處理時間各800秒。

1.在30～50℃水中通過搖動、噴水和超聲波清洗，搖動、噴水和超聲波清洗就是水槽保持輕微振動，水保持循環同時有超聲震蕩的清洗方式；

2.在堿性清洗劑中通過搖動、噴水和超聲波清洗，堿性清洗劑的pH＝9～10，溫度30～50℃；

3.在30～50℃水中通過搖動、噴水和超聲波清洗；

4.在乳酸中通過搖動、噴水清洗，乳酸的溫度為60℃；

5.在40℃水中通過搖動、噴水清洗；

6.在常溫水中搖動清洗；

(二)、經過脫膠后的硅片進行精洗工藝，精洗工藝共經過7個水槽清洗和兩步烘干處理，主要目的是除去硅片表面損傷層，硅片精洗的工藝步驟如下：精洗的各步驟處理時間各300秒。

1.在堿性清洗劑中通過搖動、噴水和超聲波清洗，堿性清洗劑的pH＝9～10，溫度70～90℃；

2.在堿性清洗劑中通過搖動和超聲波清洗，堿性清洗劑的pH＝9～10，溫度70～90℃；

3.在40～60℃水中通過搖動、噴水和超聲波清洗；

4.在40～60℃水中通過搖動、噴水和超聲波清洗；

5.在60～80℃純水中通過搖動、噴水和超聲波清洗；

6.在60～80℃純水中通過搖動、噴水和超聲波清洗；

7.在60～80℃純水中通過搖動、噴水和超聲波清洗；

8.在100℃溫度下搖動烘干；

9.在150℃溫度下搖動烘干。