[發明專利]無線芯片以及具有無線芯片的電子設備

有效

• 申請號: 201110104534.5
• 申請日: 2006-03-23
• 公開（公告）號: CN102270316A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 鈴木幸惠;荒井康行;山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: G06K19/077
• 分類號: G06K19/077;H01Q1/22;H01Q9/04;H01Q23/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐予紅;高為

1.一種半導體器件，包括：

第一導電層；

第二導電層；

設置在第一導電層和第二導電層之間的介電層；

設置在介電層的側表面上的第三導電層；

包括場效應晶體管的芯片；以及

電連接到芯片的第四導電層，

其中第四導電層電連接到第二導電層。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中第四導電層包括凸起、導電膠、抗扭曲導電粘接劑或者抗扭曲導電膜。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其中場效應晶體管包括n型單晶硅襯底、p型單晶硅襯底、GaAs襯底、InP襯底、GaN襯底、SiC襯底、藍寶石襯底、ZnSe襯底或SOI襯底。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其中第二導電層和芯片的連接部分填充有底部填料。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其中底部填料包括環氧樹脂、丙烯酸樹脂或聚酰亞胺樹脂。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其中半導體器件包括高頻電路。

7.如權利要求1所述的半導體器件，其中介電層包括選自氧化鋁、玻璃、鎂橄欖石、鈦酸鋇、鈦酸鉛、鈦酸鍶、鋯酸鉛、鈮酸鋰和鈦酸鋯鉛的一種或多種材料。

8.如權利要求1所述的半導體器件，其中介電層包括選自環氧樹脂、酚樹脂、聚丁二烯樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、乙烯基芐基和聚富馬酸的一種或多種材料。

9.如權利要求1所述的半導體器件，

其中第一導電層形成在介電層的第一表面上，

其中第二導電層形成在介電層的第二表面上，以及

其中第三導電層形成在介電層的側面、第一表面和第二表面。

10.如權利要求1所述的半導體器件，所述半導體器件被包括在電子設備中。

11.如權利要求10所述的電子設備，其中電子設備是液晶顯示設備、EL顯示設備、電視機設備、移動電話、打印機、照相機、個人計算機、具有耳機的護目鏡、揚聲器設備、頭戴式耳機、導航設備或電子鑰匙。

12.如權利要求1所述的半導體器件，還包括：

布線基板；以及

傳感器裝置，

其中布線基板設置在第二導電層和第四導電層之間，并且

其中傳感器裝置安裝在布線基板上。

13.如權利要求1所述的半導體器件，還包括：

布線基板；以及

電池，

其中布線基板設置在第二導電層和第四導電層之間，并且

其中電池安裝在布線基板上。

14.如權利要求1所述的半導體器件，還包括：

布線基板；

電池；以及

傳感器裝置，

其中布線基板設置在第二導電層和第四導電層之間，并且

其中電池和傳感器裝置安裝在布線基板上。

15.一種半導體器件，包括：

配置成用作輻射電極的第一導電層；

配置成用作地接觸體的第二導電層；

設置在第一導電層和第二導電層之間的介電層；

配置成為第一導電層供電的第三導電層；

包括場效應晶體管的芯片；以及

電連接到芯片的第四導電層，

其中第四導電層電連接到第二導電層，并且

其中第三導電層設置在介電層的側表面。

16.如權利要求15所述的半導體器件，其中第四導電層包括凸起、導電膠、抗扭曲導電粘接劑或者抗扭曲導電膜。

17.如權利要求15所述的半導體器件，其中場效應晶體管包括n型單晶硅襯底、p型單晶硅襯底、GaAs襯底、InP襯底、GaN襯底、SiC襯底、藍寶石襯底、ZnSe襯底或SOI襯底。

18.如權利要求15所述的半導體器件，其中第二導電層和芯片的連接部分填充有底部填料。

19.如權利要求18所述的半導體器件，其中底部填料包括環氧樹脂、丙烯酸樹脂或聚酰亞胺樹脂。

20.如權利要求15所述的半導體器件，其中半導體器件包括高頻電路。