[發明專利]接觸孔及接觸孔插塞的制備方法無效
| 申請號： | 201110103150.1 | 申請日： | 2011-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN102184889A | 公開（公告）日： | 2011-09-14 |
| 發明（設計）人： | 倪紅松;胡學清 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 接觸 孔插塞 制備 方法 | ||
1.一種接觸孔的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供具有導電區的襯底；
在所述襯底表面形成介電層；
在所述襯底的導電區的位置，刻蝕所述介電層，形成接觸孔；
微刻蝕所述接觸孔的底部，去除所述接觸孔內所述襯底表面殘存的絕緣物薄膜。
2.如權利要求1所述的接觸孔的制備方法，其特征在于，在所述微刻蝕步驟中，刻蝕氣壓為40mT，刻蝕功率為500W，刻蝕時間為40s。
3.如權利要求2所述的接觸孔的制備方法，其特征在于，所述刻蝕氣體為C5F8、O2、Ar的混合氣體，C5F8、O2、Ar的流量比為20sccm∶15sccm∶100sccm。
4.如權利要求1所述的接觸孔的制備方法，其特征在于，所述介質層為二氧化硅層。
5.如權利要求1所述的接觸孔的制備方法，其特征在于，所述襯底的導電區為源極擴散區或者漏極擴散區或者柵極擴散區。
6.一種接觸孔插塞的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供具有接觸孔的襯底；
微刻蝕所述接觸孔的底部，去除所述接觸孔內所述襯底表面殘存的絕緣物薄膜；
在所述接觸孔內沉積金屬層形成插塞。
7.如權利要求6所述的接觸孔插塞的制備方法，其特征在于，所述金屬插塞為金屬鋁插塞。
8.如權利要求6所述的接觸孔插塞的制備方法，其特征在于，所述采用物理氣相沉積的方法形成所述金屬層。
9.如權利要求6所述的接觸孔插塞的制備方法，其特征在于，在所述微刻蝕步驟中，刻蝕氣壓為40mT，刻蝕功率為500W，刻蝕時間為40s。
10.如權利要求9所述的接觸孔插塞的制備方法，其特征在于，所述刻蝕氣體為C5F8、O2、Ar的混合氣體，C5F8、O2、Ar的流量比為20sccm∶15sccm∶100sccm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
