[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及形成方法、PMOS晶體管及形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110102990.6
• 申請(qǐng)日: 2011-04-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102184847B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李樂(lè)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供絕緣體上硅襯底，所述絕緣體上硅襯底依次包括硅基底、絕緣埋層和頂層硅；

刻蝕所述頂層硅至露出絕緣埋層，形成有源區(qū)；

在有源區(qū)的頂層硅側(cè)壁及頂部形成絕緣氧化層；

進(jìn)行熱氧化處理，使頂層硅邊緣向上彎曲。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述熱氧化處理的時(shí)間范圍在5秒-4小時(shí)、溫度范圍在700-1050攝氏度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述熱氧化處理工藝在爐熱管中進(jìn)行。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，刻蝕所述頂層硅的方法是干法刻蝕。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述絕緣埋層的材料為氧化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述絕緣氧化層的材料為氧化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，形成絕緣氧化層的方法是快速熱氧化處理。

8.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括絕緣體上硅襯底，所述絕緣體上硅襯底依次包括硅基底、絕緣埋層和頂層硅，其特征在于，所述頂層硅邊緣向上彎曲。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣埋層的材料是氧化硅。

10.一種PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供絕緣體上硅襯底，所述絕緣體上硅襯底依次包括硅基底、絕緣埋層和頂層硅；

刻蝕所述頂層硅至露出絕緣埋層，形成有源區(qū)；

在有源區(qū)的頂層硅側(cè)壁及頂部形成絕緣氧化層；

進(jìn)行熱氧化處理，使頂層硅邊緣向上彎曲；

在所述頂層硅上依次形成柵介質(zhì)層和多晶硅柵極；

在所述多晶硅柵極兩側(cè)的頂層硅上形成側(cè)墻；

在所述多晶硅柵極和側(cè)墻兩側(cè)的頂層硅內(nèi)形成源/漏極。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述熱氧化處理的時(shí)間范圍在5秒-4小時(shí)、溫度范圍在700-1050攝氏度。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述熱氧化處理工藝在爐熱管中進(jìn)行。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，刻蝕所述頂層硅的方法是干法刻蝕。

14.一種PMOS晶體管結(jié)構(gòu)，包括絕緣體上硅襯底，所述絕緣體上硅襯底依次包括硅基底、絕緣埋層和頂層硅；在所述頂層硅上依次形成有柵介質(zhì)層和多晶硅柵極；在所述多晶硅柵極兩側(cè)形成有側(cè)墻；在所述多晶硅柵極和側(cè)墻兩側(cè)的頂層硅中形成有源/漏極，其特征在于，所述頂層硅邊緣向上彎曲。