[發明專利]GaInN白光LED用復合結構熒光陶瓷及其制備方法

有效

• 申請號: 201110102733.2
• 申請日: 2011-04-22
• 公開（公告）號: CN102249660A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 周圣明;林輝;滕浩
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海光學精密機械研究所
• 主分類號: C04B35/44
• 分類號: C04B35/44;C04B35/12;C04B35/622;B32B18/00
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 張澤純

1.一種用于GaInN白光LED的復合結構熒光陶瓷，其特征在于由上層透明陶瓷和下層透明陶瓷通過側面粘合構成：上層透明陶瓷的化學組成為(Ce_xY_1-x)₃Al₅O₁₂，其中x的取值范圍為：0.0003≤x≤0.06；下層透明陶瓷的化學組成為(Ce_wY_1-w)₃(Cr_zAl_1-z)₅O₁₂，其中w、z的取值范圍分別為：0.0001≤w≤0.06，0.0001≤z≤0.06。

2.權利要求1所述的復合結構熒光陶瓷的制備方法，其特征在于該方法包括下列步驟：

①選定復合結構熒光陶瓷的參數x、z、w，采用氧化釔(Y₂O₃)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鈰(CeO₂)、氧化鉻(Cr₂O₃)為原料，按上層透明陶瓷(Ce_xY_1-x)₃Al₅O₁₂化學組成和下層透明陶瓷(Ce_wY_1-w)₃(Cr_zAl_1-z)₅O₁₂化學組成分別配置上層透明陶瓷粉體原料和下層透明陶瓷粉體原料；

②再分別用濕法球磨以無水乙醇或去離子水為介質制備陶瓷粉料，兩種粉料分別經干后、造粒、壓片，再對其施以150MPa以上冷等靜壓成上層陶瓷坯體和下層陶瓷坯體；

③將所述的上層陶瓷坯體和下層陶瓷坯體放入真空燒結爐或熱壓燒結爐中燒結，獲得上層透明熒光陶瓷和下層透明熒光陶瓷；

④將所述的上層透明熒光陶瓷和下層透明熒光陶瓷表面拋光，再在其結合處側面粘合得到由上層透明熒光陶瓷和下層透明熒光陶瓷構成的復合結構熒光陶瓷。

3.根據權利要求2所述的復合結構熒光陶瓷的制備方法，其特征在于所述的上層透明陶瓷(Ce_xY_1-x)₃Al₅O₁₂坯體和下層透明陶瓷(Ce_wY_1-w)₃(Cr_zAl_1-z)₅O₁₂坯體在真空燒結爐中燒結時，燒結保溫溫度為1650～1780℃，燒結保溫時間為1～24小時。

4.根據權利要求2所述的復合結構熒光陶瓷的制備方法，其特征在于所述的上層透明陶瓷(Ce_xY_1-x)₃Al₅O₁₂坯體和下層透明陶瓷(Ce_wY_1-w)₃(Cr_zAl_1-z)₅O₁₂坯體在所述的熱壓燒結爐中燒結時，施加的壓力為10～40MPa，燒結保溫溫度為1400～1700℃，燒結保溫時間為1～10小時。