[發明專利]一種提高燒結體氧化鎂靶材體積密度的方法

無效

• 申請號: 201110101506.8
• 申請日: 2011-04-22
• 公開（公告）號: CN102225862A
• 公開（公告）日: 2011-10-26
• 發明（設計）人: 林宇;王寧會;穆卓藝;潘忠藝;張百平
• 申請（專利權）人: 遼寧中大超導材料有限公司
• 主分類號: C04B35/04
• 分類號: C04B35/04;C04B35/622
• 代理公司: 大連星海專利事務所 21208
• 代理人: 修德金

技術領域

本發明屬于精細化工技術領域，涉及到提高燒結體氧化鎂靶材提及密度的技術，特別涉及到一種提高PDP用燒結體靶材提及密度的技術方法。

背景技術

為了提高蒸鍍的生產率，必須逐次向蒸發源自動供給試料。因此，試料不是塊狀的，而是廣泛使用粒狀材料。

試料粒子有單晶體、多晶體、燒結體等。單晶體是將精制的原材料利用電弧放電加熱熔融后，經緩慢冷卻得到單晶體的晶塊，再經機械粉碎而成顆粒狀。這種單晶體的優點是通常具有99.9%以上的高純度。且非常致密，幾乎不吸收水等雜質分子，但制造成本是個問題。多晶體多是由原礦石熔融精制而成，制造成本低廉是其特征，但純度較低且機械性能脆弱等是個問題。燒結體是將精制的高純度原粉用模型壓制再進行熱處理而成的，其優點是純度高，且顆粒形狀具全，但若燒結密度低則水等的吸附成為問題。

由此可見，與單晶體和多晶體相比，若能提高燒結體的密度，其可成為蒸鍍法制備PDP保護膜的最佳試料。

添加燒結劑和控制燒成溫度是提高燒結體氧化鎂靶材提及密度的一種技術方法。PDP用燒結體氧化鎂靶材在國內的研究尚屬空白，國際上也未見報道。目前使用的方法基本為提高燒結溫度，延長燒結時間。此種方法產率低、能耗大，而且產品質量難以控制?？梢娪斜匾芯砍鲞m合規?；a的高效節能且便于控制產品質量的提高體積密度的技術方法。

針對這些問題，本發明提出一種提高燒結體氧化鎂靶材體積密度的技術方法，添加含有促進燒結作用元素的物質和制定特定的燒成制度。這種技術方法簡單，高效節能，具有工業化應用價值。

發明內容

發明的目的是提供一種提高燒結體氧化鎂靶材體積密度的技術方法，通過該方法可得到PDP用燒結體氧化鎂靶材體積密度的方法，從而滿足國內外市場的特殊需求。

本發明的技術方案是，提供一種提高燒結體氧化鎂靶材體積密度的方法，在整個工藝的濕法混料階段將含硅的氧化物或有機物與氧化鎂均勻混合，再在工藝最終的燒結階段通過特定的燒結制度，完成提高氧化鎂靶材的體積密度。

所述提高燒結體氧化鎂靶材體積密度的方法，包括以下步驟：

步驟A，濕法混料階段：將含硅的氧化物、氫氧化物或有機物作為燒結劑與高純鎂質原料均勻混合。

步驟B，燒結階段：將步驟A得到的混料燒結，燒結溫度1450~1750℃，恒溫時間2~15小時。

其中，所述燒結劑的含量占總量的0.005~50%，其中，所述燒結劑折算為SiO₂后計算配比。

其中，所述高純鎂質原料為氧化鎂、堿式碳酸鎂、氫氧化鎂或氧化鎂、堿式碳酸鎂、氫氧化鎂兩種或兩種以上的混合物。

其中，所述步驟B的燒結氛圍為氧化氛圍或大氣氛圍。

本發明的效果和益處是，技術方法融入在整個工藝工程中，不用延長工藝過程，無需額外添加設備，且能大幅度降低燒結溫度和燒結時間。本發明在制造成本、產品性能等方面都展現出顯著的競爭優勢和利潤空間。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明進行詳細說明。

本發明中的一種提高燒結體氧化鎂靶材體積密度的技術方法，其主要內容在于所使用的燒結劑的選用和添加量、燒結溫度、燒結時間和燒結氣氛。

本發明所用原料為高純鎂質原料，例如氧化鎂，堿式碳酸鎂、氫氧化鎂等，也可以是它們中的兩種或兩種以上的混合物；所使用燒結劑為含鈣、釔、硅等的氧化物，氫氧化物或有機物。

本發明所使用的燒結劑的含量占總量的0.005~50%，添加劑需折算為SiO₂后計算配比。

本發明所使用的燒結制度為：燒結溫度1450~1750℃，恒溫時間2~15小時，燒結氛圍為氧化氛圍也可以是大氣氛圍。

實施例1

以二氧化硅作為燒結劑為例，取0.66?kg氧化鎂、2?g二氧化硅，即燒結劑比例為0.3%；燒結溫度為1500℃，恒溫時間為2小時，燒結氛圍為大氣氛圍。

經過本發明的實施，將燒結體氧化鎂靶材體積密度從原來的2.82?g/cm³提高到3.25?g/cm³（與相同燒結制度但無燒結劑時相比較），燒結成本降低10%（與達到相同密度時的能耗相比較）。

以上內容是結合優選技術方案對本發明所做的進一步詳細說明，不能認定發明的具體實施僅限于這些說明。對本發明所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明的構思的前提下，還可以做出簡單的推演及替換，都應當視為本發明的保護范圍。