[發明專利]一種燒結體氧化鎂靶材的雜質控制方法無效
| 申請號： | 201110101477.5 | 申請日： | 2011-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN102198954A | 公開（公告）日： | 2011-09-28 |
| 發明（設計）人： | 林宇;王寧會;穆卓藝;潘忠藝;張百平 | 申請（專利權）人： | 遼寧中大超導材料有限公司 |
| 主分類號： | C01F5/02 | 分類號： | C01F5/02 |
| 代理公司： | 大連星海專利事務所 21208 | 代理人： | 修德金 |
| 地址： | 115000 遼寧省*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 燒結 氧化鎂 雜質 控制 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種燒結體氧化鎂靶材的雜質控制方法，其特征在于，以氧化鎂、氫氧化鎂、堿式碳酸鎂或碳酸鎂中的一種或幾種為原料，并將原料與含鈉或鉀的化合物進行混合后，在低溫下進行燒結，得到氧化鎂靶材。
2.根據權利要求1所述的燒結體氧化鎂靶材的雜質控制方法，其特征在于，所述含鈉或鉀的化合物為含鈉和/或鉀碳酸鹽、氫氧化物及有機鹽。
3.根據權利要求1或2所述的燒結體氧化鎂靶材的雜質控制方法，其特征在于，原料與鈉或鉀的化合物的混合比例是：將原料與鈉或鉀的化合物折算成相應氧化物，范圍在0.5至2重量%。
4.根據權利要求3所述的燒結體氧化鎂靶材的雜質控制方法，其特征在于，所述燒結溫度范圍在1000至1400℃之間。
5.根據權利要求3所述的燒結體氧化鎂靶材的雜質控制方法，其特征在于，恒溫時間在1.5至8小時之間。
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