[發(fā)明專利]多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110100266.X
• 申請(qǐng)日: 2011-04-14
• 公開（公告）號(hào): CN102693754A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃漢龍;周銘宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 擎泰科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/06
• 分類號(hào): G11C16/06
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)非易失性內(nèi)存，特別是關(guān)于一種多位單元(multi-bit?percell)非易失性內(nèi)存的寫入(program)方法，用以改善耦合效應(yīng)。

背景技術(shù)

閃存為一種非易失性固態(tài)內(nèi)存組件，其可以電氣方式進(jìn)行抹除及寫入。傳統(tǒng)閃存可在每一記憶單元內(nèi)儲(chǔ)存單一位的信息，因而每一記憶單元具有二可能狀態(tài)。此種傳統(tǒng)閃存因此稱為單位元單元(single-bit?per?cell)閃存。現(xiàn)今閃存可在每一記憶單元內(nèi)儲(chǔ)存二或多位的信息，因而每一記憶單元具有二個(gè)以上的可能狀態(tài)。此種閃存因此稱為多位單元(multi-bit?percell)閃存。

在多位單元閃存中，借由儲(chǔ)存相異電荷于浮接?xùn)艠O(floating?gate)中，因而得以寫入不同狀態(tài)數(shù)據(jù)至快閃記體中。由于浮接?xùn)艠O的電荷即決定相對(duì)應(yīng)的臨界(threshold)電壓，因此數(shù)據(jù)可根據(jù)其相異的臨界電壓而自多位單元閃存讀取出來。由于記憶單元間具有工藝或操作方面的差異性，因此每一狀態(tài)的臨界電壓并非是固定值，而是由一電壓范圍來定義。

然而，傳統(tǒng)多位單元閃存，特別是三(或更多)位單元閃存，極易受到浮接?xùn)艠O耦合效應(yīng)及滯留(retention)效應(yīng)的影響。由于容易因狹窄的讀取邊限(read?margin)而造成讀取錯(cuò)誤，因此，亟需提出一些新穎的機(jī)制，用以改善浮接?xùn)艠O耦合效應(yīng)。

由此可見，上述現(xiàn)有的閃存在方法及使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的閃存存在的缺陷，而提供一種新的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，所要解決的技術(shù)問題是使其用以改善耦合效應(yīng)，增加讀取邊限以降低取讀錯(cuò)誤，非常適于實(shí)用。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，包含：讀取一目前字線以得到一最高有效位頁的第一數(shù)據(jù)，其中該目前字線位于至少一先前字線之后，該目前字線讀取成功且該先前字線讀取失敗；設(shè)定至少一參考電壓；及依該參考電壓，以一第二數(shù)據(jù)進(jìn)行該目前字線的最高有效位頁的二次寫入，其中該第二數(shù)據(jù)不同于該第一數(shù)據(jù)。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。

前述的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的該第二數(shù)據(jù)反相于該第一數(shù)據(jù)。

前述的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的該參考電壓為一預(yù)驗(yàn)證電壓。

前述的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的在該二次寫入步驟之后，更包含一步驟，用以重讀該先前字線。

前述的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的重讀該先前字線的步驟之前，更包含一步驟，用以重置該參考電壓，其中該參考電壓被重置為該設(shè)定步驟之前的狀態(tài)。

前述的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的該目前字線與該先前字線互為相鄰。

前述的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的該至少一先前字線包含多個(gè)先前字線，對(duì)于每一條先前字線及其相鄰后續(xù)字線，由后往前依序執(zhí)行該設(shè)定步驟、該二次寫入步驟及該重讀步驟。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，包含：讀取一目前字線，其中該目前字線讀取失敗；及第一次寫入至少一相鄰字線的位頁，其中該相鄰字線相鄰于該目前字線。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。

前述的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的第一次寫入該至少一相鄰字線的位頁的步驟前，更包含一步驟，其讀取以得到該至少一相鄰字線的已寫入位頁的一第一數(shù)據(jù)，其中該第一數(shù)據(jù)不同于該相鄰字線所第一次寫入的數(shù)據(jù)。

前述的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的該相鄰字線的位頁所第一次寫入的數(shù)據(jù)反相于該第一數(shù)據(jù)。

前述的多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，其中所述的該相鄰字線的位頁所第一次寫入的數(shù)據(jù)為隨機(jī)數(shù)據(jù)、均勻分布數(shù)據(jù)或相同數(shù)據(jù)。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另外還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法，包含：讀取以得到至少一相鄰字線的最高有效位頁的一第一數(shù)據(jù)，其中該相鄰字線相鄰于一讀取失敗的目前字線；及以一第二數(shù)據(jù)進(jìn)行該至少一相鄰字線的最高有效位頁的二次寫入，其中該第二數(shù)據(jù)不同于該第一數(shù)據(jù)。