[發明專利]多位單元非易失性內存的寫入方法

有效

• 申請號: 201110100266.X
• 申請日: 2011-04-14
• 公開（公告）號: CN102693754A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 黃漢龍;周銘宏
• 申請（專利權）人: 擎泰科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種多位單元非易失性內存的寫入方法，其特征在于包含：

讀取一目前字線以得到一最高有效位頁的第一數據，其中該目前字線位于至少一先前字線之后，該目前字線讀取成功且該先前字線讀取失敗；

設定至少一參考電壓；及

依該參考電壓，以一第二數據進行該目前字線的最高有效位頁的二次寫入，其中該第二數據不同于該第一數據。

2.如權利要求1所述的多位單元非易失性內存的寫入方法，其特征在于該第二數據反相于該第一數據。

3.如權利要求1所述的多位單元非易失性內存的寫入方法，其特征在于該參考電壓為一預驗證電壓。

4.如權利要求1所述的多位單元非易失性內存的寫入方法，其特征在于在該二次寫入步驟之后，更包含一步驟，用以重讀該先前字線。

5.如權利要求4所述的多位單元非易失性內存的寫入方法，其特征在于重讀該先前字線的步驟之前，更包含一步驟，用以重置該參考電壓，其中該參考電壓被重置為該設定步驟之前的狀態。

6.如權利要求1所述的多位單元非易失性內存的寫入方法，其特征在于該目前字線與該先前字線互為相鄰。

7.如權利要求4所述的多位單元非易失性內存的寫入方法，其特征在于該至少一先前字線包含多個先前字線，對于每一條先前字線及其相鄰后續字線，由后往前依序執行該設定步驟、該二次寫入步驟及該重讀步驟。

8.一種多位單元非易失性內存的寫入方法，其特征在于包含：

讀取一目前字線，其中該目前字線讀取失敗；及

第一次寫入至少一相鄰字線的位頁，其中該相鄰字線相鄰于該目前字線。

9.如權利要求8所述的多位單元非易失性內存的寫入方法，其特征在于第一次寫入該至少一相鄰字線的位頁的步驟前，更包含一步驟，其讀取以得到該至少一相鄰字線的已寫入位頁的一第一數據，其中該第一數據不同于該相鄰字線所第一次寫入的數據。

10.如權利要求9所述的多位單元非易失性內存的寫入方法，其特征在于該相鄰字線的位頁所第一次寫入的數據反相于該第一數據。

11.如權利要求8所述的多位單元非易失性內存的寫入方法，其特征在于該相鄰字線的位頁所第一次寫入的數據為隨機數據、均勻分布數據或相同數據。

12.一種多位單元非易失性內存的寫入方法，其特征在于包含：

讀取以得到至少一相鄰字線的最高有效位頁的一第一數據，其中該相鄰字線相鄰于一讀取失敗的目前字線；及

以一第二數據進行該至少一相鄰字線的最高有效位頁的二次寫入，其中該第二數據不同于該第一數據。

13.如權利要求12所述的多位單元非易失性內存的寫入方法，其特征在于當該目前字線不是該非易失性內存的實體區塊的最后一條字線，則該相鄰字線位于該目前字線之后；當該目前字線是該非易失性內存的實體區塊的最后一條字線，則該相鄰字線位于該目前字線之前。

14.如權利要求12所述的多位單元非易失性內存的寫入方法，其特征在于該第二數據反相于該第一數據。

15.如權利要求12所述的多位單元非易失性內存的寫入方法，其特征在于該第二數據為隨機數據、均勻分布數據或相同數據。