[發(fā)明專利]晶片處理裝置和晶片處理方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110097931.4
• 申請日: 2011-04-19
• 公開（公告）號: CN102751392A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李謙
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張?zhí)焓?陳源

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種晶片處理裝置和晶片處理方法。

背景技術(shù)

在發(fā)光二極管(Light?Emitting?Diode，以下簡稱：LED)芯片的制造過程中，干法刻蝕工藝用于實現(xiàn)晶片的圖形化刻蝕和電極刻蝕，以達到增加出光效率和完成電極引線的目的。常用的實現(xiàn)干法刻蝕工藝的半導體設(shè)備包括真空傳輸腔室和與真空傳輸腔室連接的工藝腔室，其中，真空傳輸腔室可用于將晶片傳輸至工藝腔室中，工藝腔室可用于對晶片進行工藝操作。隨著產(chǎn)能需求的提高，后期的半導體設(shè)備進一步地增加了與真空傳輸腔室連接的裝卸載腔室，裝卸載腔室可用于晶片的裝載和卸載，通過該裝卸載腔室可以進行小批量晶片的整盒生產(chǎn)。

真空傳輸腔室和裝卸載腔室中均設(shè)置有承載單元，該承載單元用于承載晶片。真空傳輸腔室中該承載單元為機械手，根據(jù)功能需求的不同，該機械手可以為單軸、兩軸或三軸機械手。裝卸載腔室中該承載單元為晶片料盒。真空傳輸腔室通過設(shè)置于內(nèi)部的機械手可實現(xiàn)將晶片從裝卸載腔室中的晶片料盒中取出并傳輸至真空傳輸腔室中，且進一步將晶片傳輸至工藝腔室中，由工藝腔室對晶片進行工藝處理，例如：刻蝕處理等。

在實際生產(chǎn)過程中，大氣環(huán)境中的顆粒極容易落到晶片的表面，造成對晶片的污染。并且在真空傳輸腔室將晶片傳輸至工藝腔室之前，無論是真空傳輸腔室中還是其它腔室中均不存在對晶片表面的顆粒進行去除的工藝，因此降低了工藝腔室對晶片進行工藝處理的良品率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種晶片處理裝置和晶片處理方法，用以提高工藝腔室對晶片進行工藝處理的良品率。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種晶片處理裝置，包括傳輸平臺，所述傳輸平臺包括用于傳輸晶片的腔體和設(shè)置于所述腔體內(nèi)部的承載單元，所述承載單元用于承載晶片，所述裝置還包括：氣體管路，所述氣體管路設(shè)置于所述腔體上，且所述氣體管路用于向所述腔體內(nèi)部提供吹掃氣體。

進一步地，所述傳輸平臺包括真空傳輸腔室，且所述用于傳輸晶片的腔體為所述真空傳輸腔室的腔體，且所述承載單元包括機械手和設(shè)置于所述機械手上的晶片托盤。

進一步地，所述傳輸平臺包括裝卸載腔室，所述用于傳輸晶片的腔體為所述裝卸載腔室的腔體，且所述承載單元包括晶片料盒。

進一步地，所述氣體管路設(shè)置于所述腔體的頂部，并且所述氣體管路的出氣口穿通所述腔體頂部進入所述腔體內(nèi)部以向所述腔體內(nèi)部提供所述吹掃氣體。

進一步地，所述氣體管路設(shè)置于所述腔體的側(cè)面，并且所述氣體管路的出氣口穿通所述腔體側(cè)面進入所述腔體內(nèi)部以向所述腔體內(nèi)部提供所述吹掃氣體。

進一步地，所述氣體管路上設(shè)置有用于調(diào)節(jié)所述吹掃氣體的流量的流量控制單元，且所述流量控制單元位于靠近所述氣體管路的進氣口的位置。

進一步地，所述氣體管路上還設(shè)置有氣體流量計，所述氣體流量計用于測量出所述氣體管路內(nèi)的吹掃氣體的流量值，以供所述流量控制單元根據(jù)測量出的流量值對所述吹掃氣體的流量進行調(diào)節(jié)。

進一步地，所述氣體管路上設(shè)置有溫度測量單元，所述溫度測量單元用于測量出所述氣體管路內(nèi)的吹掃氣體的溫度值，以使所述氣體管路根據(jù)測量出的溫度值向所述腔體內(nèi)部提供溫度為預設(shè)溫度的吹掃氣體，所述預設(shè)溫度為所述吹掃氣體根據(jù)反應(yīng)腔室中所要進行的工藝處理的類型而被加熱或冷卻后的溫度。

進一步地，所述吹掃氣體為惰性氣體。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種應(yīng)用上述晶片處理裝置的晶片處理方法，該方法包括：

將晶片傳輸進所述腔體；

在預設(shè)時間內(nèi)通過所述氣體管路向所述腔體內(nèi)部提供的吹掃氣體對所述晶片進行吹掃；

將晶片傳輸出所述腔體。本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明提供的晶片處理裝置包括傳輸平臺和氣體管路，該傳輸平臺包括腔體和承載單元，承載單元用于傳輸晶片，氣體管路設(shè)置于腔體上，氣體管路用于向腔體內(nèi)部提供吹掃氣體。本發(fā)明的傳輸平臺上設(shè)置有氣體管路，氣體管路提供的吹掃氣體可用于對晶片進行吹掃，以去除晶片表面的顆粒，避免了顆粒對晶片的污染，從而提高了工藝腔室對晶片進行工藝處理的良品率。

本發(fā)明提供的晶片處理方法中，將晶片傳輸進腔體，在預設(shè)時間內(nèi)通過氣體管路向腔體內(nèi)部提供的吹掃氣體對晶片進行吹掃，將晶片傳輸出腔體。本發(fā)明中氣體管路提供的吹掃氣體可以對晶片進行吹掃，以去除晶片表面的顆粒，避免了顆粒對晶片的污染，從而提高了工藝腔室對晶片進行工藝處理的良品率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種晶片處理裝置的俯視示意圖；