[發(fā)明專利]晶片處理裝置和晶片處理方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110097931.4
• 申請(qǐng)日: 2011-04-19
• 公開（公告）號(hào): CN102751392A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李謙
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張?zhí)焓?陳源

1.一種晶片處理裝置，包括傳輸平臺(tái)，所述傳輸平臺(tái)包括用于傳輸晶片的腔體和設(shè)置于所述腔體內(nèi)部的承載單元，所述承載單元用于承載晶片，其特征在于，所述裝置還包括：氣體管路，所述氣體管路設(shè)置于所述腔體上，且所述氣體管路用于向所述腔體內(nèi)部提供吹掃氣體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片處理裝置，其特征在于，所述傳輸平臺(tái)包括真空傳輸腔室，且所述用于傳輸晶片的腔體為所述真空傳輸腔室的腔體，且所述承載單元包括機(jī)械手和設(shè)置于所述機(jī)械手上的晶片托盤。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片處理裝置，其特征在于，所述傳輸平臺(tái)包括裝卸載腔室，所述用于傳輸晶片的腔體為所述裝卸載腔室的腔體，且所述承載單元包括晶片料盒。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的晶片處理裝置，其特征在于，所述氣體管路設(shè)置于所述腔體的頂部，并且所述氣體管路的出氣口穿通所述腔體頂部進(jìn)入所述腔體內(nèi)部以向所述腔體內(nèi)部提供所述吹掃氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的晶片處理裝置，其特征在于，所述氣體管路設(shè)置于所述腔體的側(cè)面，并且所述氣體管路的出氣口穿通所述腔體側(cè)面進(jìn)入所述腔體內(nèi)部以向所述腔體內(nèi)部提供所述吹掃氣體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片處理裝置，其特征在于，所述氣體管路上設(shè)置有用于調(diào)節(jié)所述吹掃氣體的流量的流量控制單元，且所述流量控制單元位于靠近所述氣體管路的進(jìn)氣口的位置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片處理裝置，其特征在于，所述氣體管路上還設(shè)置有氣體流量計(jì)，所述氣體流量計(jì)用于測(cè)量出所述氣體管路內(nèi)的吹掃氣體的流量值，以供所述流量控制單元根據(jù)測(cè)量出的流量值對(duì)所述吹掃氣體的流量進(jìn)行調(diào)節(jié)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片處理裝置，其特征在于，所述氣體管路上設(shè)置有溫度測(cè)量單元，所述溫度測(cè)量單元用于測(cè)量出所述氣體管路內(nèi)的吹掃氣體的溫度值，以使所述氣體管路根據(jù)測(cè)量出的溫度值向所述腔體內(nèi)部提供溫度為預(yù)設(shè)溫度的吹掃氣體，所述預(yù)設(shè)溫度為所述吹掃氣體根據(jù)反應(yīng)腔室中所要進(jìn)行的工藝處理的類型而被加熱或冷卻后的溫度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片處理裝置，其特征在于，所述吹掃氣體為惰性氣體。

10.一種應(yīng)用于權(quán)利要求1-9任一晶片處理裝置的晶片處理方法，其特征在于，包括：

將晶片傳輸進(jìn)所述腔體；

在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)通過所述氣體管路向所述腔體內(nèi)部提供的吹掃氣體對(duì)所述晶片進(jìn)行吹掃；

將晶片傳輸出所述腔體。