[發明專利]碳納米管漿料的制備方法有效

申請號：	201110097647.7	申請日：	2011-04-19
公開（公告）號：	CN102184820A	公開（公告）日：	2011-09-14
發明（設計）人：	蔡琪;周段亮;柳鵬;范守善	申請（專利權）人：	清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
主分類號：	H01J9/02	分類號：	H01J9/02
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摘要：
搜索關鍵詞：	納米漿料制備方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及一種碳納米管漿料的制備方法。

背景技術

場發射陰極是場發射器件的重要元件。場發射陰極的制備方法通常為將陰極漿料印刷在陰極電極表面，再通過后續處理方法使陰極發射體從陰極漿料中露出頭來。

以碳納米管漿料為例，其制備方法包括：在有機溶劑（通常為無水乙醇）中超聲分散碳納米管形成第一混合液；在有機溶劑（通常為無水乙醇）中超聲分散玻璃粉和氧化銦錫顆粒形成第二混合液；將所述第一混合液、第二混合液以及有機載體混合形成一混合物；以及在室溫下蒸發除去有機溶劑。

然而，由于現有技術中碳納米管漿料在制備過程中通常采用球磨的方法將碳納米管截斷的，采用上述方法得到的碳納米管的長度分布很不均勻。若碳納米管的長度過長，則陰極漿料構成的陰極發射體中的碳納米管之間產生的電磁屏蔽效應會增加器件的工作電壓，降低顯示圖案的明亮均勻性。另外，若碳納米管長度過短，例如小于1微米，則碳納米管的長徑比就會減小，這樣陰極漿料構成的陰極發射體中的碳納米管的場發射能力就會降低。因此，如何獲得長度均勻的碳納米管是提高碳納米管漿料構成的陰極發射體的場發射性能的關鍵問題之一。

發明內容

綜上所述，確有必要提供一種方法簡單且獲得的碳納米管漿料具有較好場發射性能的碳納米管漿料的制備方法。

一種碳納米管漿料的制備方法，其包括以下步驟：提供一碳納米管陣列，其生長于一基底；采用激光掃描該碳納米管陣列使碳納米管陣列中碳納米管被截短并具有均勻的高度；將激光截短后的碳納米管陣列從基底上剝離得到長度均勻的碳納米管；將所述長度均勻的碳納米管、無機粘結劑以及有機載體混合形成碳納米管漿料。

與現有技術相比，本發明提供的碳納米管漿料制備方法采用激光截短碳納米管陣列，由于激光處理碳納米管陣列方法簡單，且可以得到具有均勻長度的碳納米管，采用該種均勻長度的碳納米管制備碳納米管漿料可以使碳納米管漿料獲得良好的場發射性能。

附圖說明

圖1為本發明實施例提供的激光的功率為3W，掃描速度為20毫米/秒時得到的截短后的碳納米管陣列的掃描電子顯微鏡(SEM)照片。

圖2為本發明實施例提供的激光的功率為3W，掃描速度為20毫米/秒時得到的截短后的碳納米管陣列的局部放大的SEM照片。

圖3為本發明實施例提供的激光的功率為3.6W，掃描速度為20毫米/秒時得到的截短后的碳納米管陣列的SEM照片。

圖4為本發明實施例提供的激光的功率為3.6W，掃描速度為20毫米/秒時得到的截短后的碳納米管陣列的局部放大SEM照片。

圖5為本發明實施例提供的激光的功率為4.2W，掃描速度為20毫米/秒時得到的截短后的碳納米管陣列的SEM照片。

圖6為本發明實施例提供的激光的功率為4.2W，掃描速度為20毫米/秒時得到的截短后的碳納米管陣列的局部放大的SEM照片。

圖7為本發明實施例提供的激光的掃描速度為80毫米/秒，掃描次數為1次，功率為4.2瓦時得到的截短后的碳納米管陣列的SEM照片。