[發明專利]具有模壓的內部引線的引線框架無效
| 申請號: | 201110097375.0 | 申請日: | 2011-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN102738108A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發明(設計)人: | 王金全;袁元 | 申請(專利權)人: | 飛思卡爾半導體公司 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 劉光明;穆德駿 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 模壓 內部 引線 框架 | ||
技術領域
本發明一般涉及半導體封裝,并且更具體而言,涉及一種用于半導體器件的引線框架。
背景技術
引線框架型的半導體器件通常包括管芯鍵合焊盤、集成電路或附著到管芯鍵合焊盤的表面的管芯以及圍繞管芯的一行或多行引線。所述管芯經由絲線鍵合工藝、利用絲線被電連接到引線。然后,管芯、引線和絲線被塑料模制化合物覆蓋,并且暴露出引線的端部或底部,以允許外部電連接。
這種器件的一個問題是模制化合物可能與引線粘附不好,在這種情況下,模制化合物會與一個或多個引線分離,特別是當溫度變化引起應力時。這個問題被稱作剝離(delamination)。引線的尖端,是引線最靠近管芯的端部,并且附著或鍵合著鍵合絲線,是內部應力高的地方,并且經常是剝離開始的地方。
引線框架通常由銅合金形成,鍵合絲線常常由金形成。為改進絲線鍵合,引線的尖端常常覆蓋有銀。不幸的是,盡管模制化合物與銅之間鍵合得好,但是它與銀之間鍵合不好。模制化合物和銀涂層之間的可能發生的剝離會導致絲線鍵合失敗。另外,由于銅引線和模制化合物具有不同的熱膨脹系數(CTE),引線尖端附近經常出現剪應力。這種剪應力也能夠導致絲線鍵合連接失敗。
圖1是集成電路(IC或管芯)10附著到管芯鍵合焊盤12的橫截面圖。管芯10的絲線鍵合焊盤15通過絲線16被連接到引線14。如圖中所示,絲線16附著在引線14的一個端部處。引線14的這個端部有時被模壓成使得引線14包括凹陷18,其中附著鍵合絲線16。所述模壓的凹陷18被涂覆或鍍覆有銀,以允許絲線與引線之間好的鍵合。然而,如上所述,引線尖端或凹陷18的區域是高應力區域,并且由于模制化合物與銀之間粘附不好,剝離可能會發生在這個位置,這會導致絲線鍵合失敗。
因此,有利的是,具有這樣一種引線框架,其具有受剝離影響較小的內部引線。
附圖說明
結合附圖閱讀將更好地理解下面優選實施例的具體描述。本發明通過示例來說明,但并不限于附圖,其中相似的附圖標記表示類似的元件。應當理解,附圖沒有依照比例繪制,并且為了便于理解發明進行了簡化。
圖1是傳統鍵合絲線將集成電路管芯的絲線鍵合焊盤連接到引線框架的內部引線的橫截側面放大圖。
圖2是根據本發明實施例的引線框架的俯視放大圖。
圖3是根據本發明實施例的鍵合絲線將集成電路管芯的絲線鍵合焊盤連接到引線框架的內部引線的橫截側面放大圖。
圖4是根據本發明實施例、包括將集成電路管芯連接到的內部引線的鍵合絲線的集成電路器件的一部分的橫截側面放大圖。
發明內容
在一個實施例中,本發明提供一種用于半導體器件的引線框架。引線框架包括大致矩形的外擋板和從所述擋板延伸出來的多個內部引線。所述內部引線設置在引線框架內,并且靠近被構造為接收集成電路管芯的管芯鍵合焊盤或者襯底。內部引線的遠端是引線的與擋板間隔開的端部。遠端具有尖端。每一內部引線的第一主表面包括在遠端處的模壓區域。模壓區域與尖端隔開預定距離。模壓區域與尖端的間隔在尖端處形成肩部。模壓區域的內表面可以鍍覆有銀或其他金屬或合金,這使與鍵合絲線之間有強鍵合,同時,肩部區域保持裸露,使得得到與用于覆蓋集成電路管芯、鍵合絲線和內部引線的模制化合物之間的強鍵合。
在另一個實施例中,本發明提供一種集成電路器件,所述集成電路器件包括半導體管芯,其具有在它的表面上形成的多個管芯絲線鍵合焊盤以及環繞所述半導體管芯并與之隔開的多個內部引線。內部引線中的每一個具有在遠端處的尖端,其緊鄰半導體管芯。內部引線的第一主表面包括模壓區域,所述模壓區域與遠端間隔開預定距離。多個鍵合絲線將管芯絲線鍵合焊盤和內部引線的各個引線的模壓區域進行連接。每個鍵合絲線的一個端部被附著或鍵合到模壓區域,并且鍵合絲線的其他端部被附著或鍵合到管芯絲線鍵合焊盤的各個管芯絲線鍵合焊盤。包封材料覆蓋管芯絲線鍵合焊盤、鍵合絲線和模壓區域。在一個實施例中,內部引線由銅形成,模壓區域鍍覆有銀并且鍵合絲線由金形成。
具體實施方式
下面結合附圖來闡述的具體描述是作為本發明目前優選實施例的描述,并非意圖表現本發明可以實施的僅有形式。應當理解的是,可以通過意圖涵蓋在本發明的精神和范圍內的不同實施例來實現相同或等效的功能。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于飛思卡爾半導體公司,未經飛思卡爾半導體公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110097375.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:低壓開關柜中抽屜
- 下一篇:一種基于碳納米管的同位素電池及其制備方法





