[發明專利]MEMS光閥、顯示裝置及其形成方法有效
| 申請號: | 201110097110.0 | 申請日: | 2011-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN102243369A | 公開(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發明(設計)人: | 毛劍宏;唐德明 | 申請(專利權)人: | 上海麗恒光微電子科技有限公司 |
| 主分類號: | G02B26/02 | 分類號: | G02B26/02;G02B5/18;G09G3/34 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區張江*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | mems 顯示裝置 及其 形成 方法 | ||
1.一種MEMS光閥,其特征在于,包括:
固定光柵,所述固定光柵具有第一透光部;
與所述固定光柵相對的可動光柵,所述可動光柵具有第二透光部;
中心軸,所述可動光柵以所述中心軸為中心旋轉,所述第二透光部與所述第一透光部隨所述可動光柵的旋轉而重疊或錯開。
2.如權利要求1所述的MEMS光閥,其特征在于,還包括:與所述可動光柵相連的感應電極;與所述感應電極相對的驅動電極,所述感應電極和所述驅動電極構成電容,其相對運動,以帶動所述可動光柵旋轉。
3.如權利要求2所述的MEMS光閥,其特征在于,所述感應電極的厚度為20nm~10μm;所述驅動電極的厚度為20nm~10μm。
4.如權利要求2所述的MEMS光閥,其特征在于,所述感應電極和驅動電極之間的距離為0.5μm~50μm。
5.如權利要求1所述的MEMS光閥,其特征在于,所述中心軸的形狀為圓柱、圓臺、圓錐中的一種。
6.如權利要求1所述的MEMS光閥,其特征在于,所述固定光柵、可動光柵和中心軸的中心在同一直線上。
7.如權利要求1所述的MEMS光閥,其特征在于,所述第一透光部的形狀為扇形,所述第二透光部的形狀為扇形,所述可動光柵的形狀為圓形,所述固定光柵的形狀為圓形。
8.如權利要求1所述的MEMS光閥,其特征在于,所述可動光柵的厚度為20nm~10μm。
9.一種包括權利要求1~8中的任一項所述MEMS光閥的顯示裝置。
10.如權利要求9所述的顯示裝置,其特征在于,還包括TFT開關,所述感應電極和驅動電極中的一種電極與TFT開關相連,另一種電極接地;或者所述感應電極與第一TFT開關電連接,所述驅動電極與第二TFT開關相連,所述第一TFT開關和第二TFT開關提供的電壓不同。
11.如權利要求10所述的顯示裝置,其特征在于,還包括:位于基底表面的固定光柵;覆蓋所述可動光柵、固定光柵、中心軸、感應電極、驅動電極和TFT開關的封蓋層,所述封蓋層具有開口;密封所述開口的密封蓋。
12.如權利要求10所述的顯示裝置,其特征在于,還包括:覆蓋所述可動光柵、中心軸、感應電極、驅動電極和TFT開關的封蓋層,所述封蓋層具有開口;密封所述開口的密封蓋;所述固定光柵形成在所述密封蓋表面。
13.如權利要求10所述的顯示裝置,其特征在于,還包括:位于固定光柵不透光區域的固定件,所述固定件與驅動電極相連,所述固定件與TFT開關相連或者接地。
14.如權利要求10所述的顯示裝置,其特征在于,所述中心軸與TFT開關相連或者接地。
15.一種MEMS光閥的形成方法,其特征在于,包括:
形成具有第一透光部的固定光柵;
形成具有第二透光部的可動光柵,所述可動光柵與所述固定光柵相對;
形成中心軸,所述可動光柵以所述中心軸為中心旋轉,所述第二透光部與所述第一透光部隨所述可動光柵的旋轉而重疊或錯開。
16.如權利要求15所述的MEMS光閥的形成方法,其特征在于,還包括:形成與所述可動光柵相連的感應電極;形成與所述感應電極相對的驅動電極,所述感應電極和所述驅動電極構成電容,其相對運動,以帶動所述可動光柵旋轉。
17.如權利要求15所述的MEMS光閥的形成方法,其特征在于,所述可動光柵、所述感應電極和所述驅動電極在同一工藝步驟中形成。
18.一種包括權利要求15~17中任一項所述的MEMS光閥的顯示裝置的形成方法。
19.如權利要求18所述的顯示裝置的形成方法,其特征在于,還包括形成與所述感應電極或驅動電極相連的TFT開關;或者包括形成與所述感應電極相連的第一TFT開關,形成與所述驅動電極相連的第二TFT開關。
20.如權利要求19所述的顯示裝置的形成方法,其特征在于,還包括:形成在基底表面的固定光柵;形成覆蓋所述可動光柵、固定光柵、中心軸、感應電極、驅動電極和TFT開關的封蓋層,所述封蓋層具有開口;形成密封所述開口的密封蓋。
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