[發明專利]摻雜單元、摻雜晶片、摻雜方法、太陽能電池及制作方法有效
| 申請號: | 201110095579.0 | 申請日: | 2011-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN102738264A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發明(設計)人: | 錢鋒;陳炯 | 申請(專利權)人: | 上海凱世通半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 薛琦;朱水平 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 摻雜 單元 晶片 方法 太陽能電池 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種摻雜單元、摻雜晶片、摻雜方法、太陽能電池及其制作方法,特別是涉及一種用于背結電池的太陽能摻雜單元、摻雜晶片、摻雜方法以及背結太陽能電池及其制作方法。
背景技術
新能源是二十一世紀世界經濟發展中最具決定力的五大技術領域之一。太陽能是一種清潔、高效和永不衰竭的新能源。在新世紀中,各國政府都將太陽能資源利用作為國家可持續發展戰略的重要內容。而光伏發電具有安全可靠、無噪聲、無污染、制約少、故障率低、維護簡便等優點。
近幾年,國際光伏發電迅猛發展,太陽能晶片供不應求,于是提高太陽能晶片的光電轉化效率和太陽能晶片的生產能力成為重要的課題。太陽能電池受光照后,電池吸收一個能量大于帶隙寬度的入射光子后產生電子-空穴對,電子和空穴分別激發到導帶與價帶的高能態。在激發后的瞬間,電子和空穴在激發態的能量位置取決于入射光子的能量。處于高能態的光生載流子很快與晶格相互作用,將能量交給聲子而回落到導帶底與價帶頂,這過程也稱作熱化過程,熱化過程使高能光子的能量損失了一部分。熱化過程后,光生載流子的輸運過程(勢壘區或擴散區)中將有復合損失。最后的電壓輸出又有一次壓降,壓降來源于與電極材料的功函數的差異。由上述分析,太陽能電池效率受材料、器件結構及制備工藝的影響,包括電池的光損失、材料的有限遷移率、復合損失、串聯電阻和旁路電阻損失等。對于一定的材料,電池結構與制備工藝的改進對提高光電轉換效率是重要的。一種可行的實現低成本高效率太陽電池方案是聚光太陽電池。聚光太陽電池可以大大節約材料成本,明顯提高太陽電池效率。采用正面結結構的太陽電池,為了滿足聚光電池電流密度更大的特點,必須大大增加正面柵線密度,這會反過來影響柵線遮光率,減小短路電流。一種可行的解決遮光損失的方案就是背結背接觸結構太陽電池。背結背接觸結構太陽電池摻雜區和金半接觸區全部集成在太陽電池背面,背面電極占據背表面很大部分,減小了接觸電阻損失。另外,電流流動方向垂直于結區,這就進一步消除了正面結構橫向電流流動造成的電阻損失,這樣就會同時滿足高強度聚焦正面受光和高光電轉換效率的要求。背結背接觸電池結構也有利于電池封裝,進一步降低成本。
但是由于背結電池的PN結靠近電池背面,而少數載流子必須擴散通過整個硅片厚度才能達到背面結區,所以這種電池設計就需要格外高的少子壽命的硅片作為基底材料,否則少子還未擴散到背面結區就被復合掉了,這樣電池的效率就會大大下降。IBC(interdigitated?back?contact)太陽能電池是最早研究的背結電池,最初主要用于聚光系統中,任丙彥等的背接觸硅太陽能電池研究進展(材料導報2008年9月第22卷第9期)中介紹了各種背接觸硅太陽能電池的結構和制作工藝,以IBC太陽能電池為例,SUNPOWER公司制作的IBC太陽能電池的最高轉換效率可達24%,然后由于其采用了光刻工藝,由于光刻所帶來的復雜操作使得其成本難以下降,給民用或者普通場合的商業化應用造成困難。為了降低成本,也有利用掩模板來形成交叉排列的P+區和N+區,但是在制作過程中必須用到多張掩模板,不僅增加了制作成本,由于光刻技術需要精確校準因此還產生了采用不同掩模板需要校準的問題,為制作過程帶來了不少難度。
發明內容
本發明要解決的技術問題是為了克服現有技術IBC太陽能電池的制作過程中使用光刻工藝成本較高的缺陷,提供一種成本較低、工藝步驟較少且摻雜離子濃度得以精確控制的太陽能摻雜單元、摻雜晶片、摻雜方法、太陽能電池及其制作方法。
本發明是通過下述技術方案來解決上述技術問題的:
一種摻雜單元,其特點在于,該摻雜單元包括:
一N型基底;
形成于該N型基底背面中的P型重摻雜區域以及N型重摻雜區域;
形成于該P型重摻雜區域周圍的P型輕摻雜區域;
形成于該N型重摻雜區域周圍的N型輕摻雜區域;
其中,該P型重摻雜區域與該N型重摻雜區域互不接觸,該P型重摻雜區域該N型輕摻雜區域互不接觸,以及該N型重摻雜區域與該P型輕摻雜區域互不接觸,
其中,所述的P型替換為N型時,N型同時替換為P型。
其中該P型輕摻雜區域可以與該P型重摻雜區域接觸,該N型輕摻雜區域可以與該N型重摻雜區域接觸。
優選地,該摻雜單元還包括位于該N型基底表面的N型摻雜層或者P型摻雜層。對于N型基底而言,倘若表面以P型摻雜層作為正表面場,由該摻雜單元制得的太陽能電池就是雙結太陽能電池,可以進一步提高其光電轉換效率。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海凱世通半導體有限公司,未經上海凱世通半導體有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110095579.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:車輛用照明裝置
- 下一篇:一種FIFO存儲器和存儲控制裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





