[發(fā)明專利]摻雜單元、摻雜晶片、摻雜方法、太陽能電池及制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110095579.0
• 申請日: 2011-04-15
• 公開（公告）號: CN102738264A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 錢鋒;陳炯
• 申請（專利權(quán)）人: 上海凱世通半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 薛琦;朱水平

1.一種摻雜單元，其特征在于，該摻雜單元包括：

一N型基底；

形成于該N型基底背面中的P型重摻雜區(qū)域以及N型重摻雜區(qū)域；

形成于該P型重摻雜區(qū)域周圍的P型輕摻雜區(qū)域；

形成于該N型重摻雜區(qū)域周圍的N型輕摻雜區(qū)域；

其中，該P型重摻雜區(qū)域與該N型重摻雜區(qū)域互不接觸，該P型重摻雜區(qū)域該N型輕摻雜區(qū)域互不接觸，以及該N型重摻雜區(qū)域與該P型輕摻雜區(qū)域互不接觸，

其中，所述的P型替換為N型時，N型同時替換為P型。

2.如權(quán)利要求1所述的摻雜單元，其特征在于，該摻雜單元還包括位于該N型基底表面的N型摻雜層或者P型摻雜層。

3.如權(quán)利要求1所述的摻雜單元，其特征在于，該P型重摻雜區(qū)域與該N型重摻雜區(qū)域的最小距離至少為10μm。

4.如權(quán)利要求1所述的摻雜單元，其特征在于，該P型重摻雜區(qū)域的寬度為1000-3000μm和/或N型重摻雜區(qū)域的寬度為250-700μm。

5.如權(quán)利要求1所述的摻雜單元，其特征在于，該P型輕摻雜區(qū)域和/或N型輕摻雜區(qū)域的寬度為5-50μm。

6.如權(quán)利要求1所述的摻雜單元，其特征在于，該P型重摻雜區(qū)域和/或該N型重摻雜區(qū)域的方塊電阻為10-50Ω/□。

7.如權(quán)利要求1所述的摻雜單元，其特征在于，該P型輕摻雜區(qū)域和/或該N型輕摻雜區(qū)域的方塊電阻為60-120Ω/□。

8.一種摻雜晶片，其特征在于，其包括多個如權(quán)利要求1-7中任意一項所述的摻雜單元。

9.一種制造如權(quán)利要求8所述的摻雜晶片的摻雜方法，其特征在于，其包括以下步驟：

在N型基底的背面中用于接觸陽電極的第一區(qū)域形成P型重摻雜區(qū)域；

在N型基底的背面中的第二區(qū)域形成該P型輕摻雜區(qū)域，其中該第二區(qū)域為該P型重摻雜區(qū)域周圍的區(qū)域；

在N型基底的背面中用于接觸陰電極的第三區(qū)域形成N型重摻雜區(qū)域；

在N型基底的背面中的第四區(qū)域形成該N型輕摻雜區(qū)域，其中該第四區(qū)域為該N型重摻雜區(qū)域周圍的區(qū)域，其中該P型重摻雜區(qū)域與該N型重摻雜區(qū)域互不接觸，該P型重摻雜區(qū)域該N型輕摻雜區(qū)域互不接觸，以及該N型重摻雜區(qū)域與該P型輕摻雜區(qū)域互不接觸，

其中，所述的P型替換為N型時，N型同時替換為P型。

10.如權(quán)利要求9所述的摻雜方法，其特征在于，該摻雜方法中形成P型重摻雜區(qū)域、P型輕摻雜區(qū)域以及N型重摻雜區(qū)域的步驟還包括以下步驟：

通過離子注入的方式將P型離子注入至該N型基底背面的第一區(qū)域和第二區(qū)域以在第一區(qū)域和第二區(qū)域形成P型重摻雜區(qū)域，其中P型離子的劑量為a；

通過離子注入的方式將N型離子注入至該N型基底背面的第三區(qū)域和第二區(qū)域以在第三區(qū)域形成N型重摻雜區(qū)域以及在第二區(qū)域形成P型輕摻雜區(qū)域，其中N型離子的劑量為b，并且b小于a。

11.如權(quán)利要求9所述的摻雜方法，其特征在于，該摻雜方法中形成N型輕摻雜區(qū)域的步驟還包括以下步驟：

通過離子注入的方式將P型離子注入至該N型基底背面的第四區(qū)域以在第四區(qū)域形成N型輕摻雜區(qū)域。

12.如權(quán)利要求9所述的摻雜方法，其特征在于，該摻雜方法還包括以下步驟：

步驟S_P、在該N型基底的表面形成N型摻雜層或者P型摻雜層。

13.如權(quán)利要求9-12中任意一項所述的摻雜方法，其特征在于，通過加速P型離子至500eV-50keV并通過離子注入的方式形成該P型重摻雜區(qū)域，使該P型重摻雜區(qū)域的方塊電阻為10-50Ω/□。

14.如權(quán)利要求9-12中任意一項所述的摻雜方法，其特征在于，通過加速N型離子至500eV-50keV并通過離子注入的方式形成該N型重摻雜區(qū)域，使該N型重摻雜區(qū)域的方塊電阻為10-50Ω/□。