[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110094967.7
• 申請(qǐng)日: 2011-04-15
• 公開（公告）號(hào): CN102738234A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 初媛媛;劉鵬

1.?一種半導(dǎo)體器件，包括柵堆疊、源區(qū)、漏區(qū)、接觸塞和層間介質(zhì)，所述柵堆疊形成于襯底上，所述源區(qū)和所述漏區(qū)位于所述柵堆疊兩側(cè)且嵌于所述襯底中，所述接觸塞嵌于所述層間介質(zhì)中，其特征在于，所述接觸塞包括第一部，所述接觸塞以所述第一部接于所述源區(qū)和/或所述漏區(qū)上，所述第一部的上表面與所述柵堆疊的上表面齊平，且所述第一部的側(cè)壁與其底壁的夾角小于90°。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一部的側(cè)壁與其底壁的夾角范圍為50°～60°。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一部包括：

阻擋層，所述阻擋層接于所述源區(qū)和/或所述漏區(qū)以及所述層間介質(zhì)，所述阻擋層材料為Ta、TaN、Ti、TiN或Ru中的一種或其組合；

金屬層，所述金屬層夾于所述阻擋層之中，所述金屬層材料為W、Al、Cu、TiAl中的一種或其組合。

4.?一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

在（100）襯底上形成柵堆疊基體，并在所述柵堆疊基體兩側(cè)形成源區(qū)和漏區(qū)；

在所述源區(qū)和/或所述漏區(qū)上以晶面外延工藝形成外延層，以使所述外延層的側(cè)壁與其底壁的夾角小于90°；

形成平坦化的層間介質(zhì)，以暴露所述外延層；

至少去除部分高度的所述外延層，以形成接觸孔；

以導(dǎo)電材料填充所述接觸孔。

5.?根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述外延層的高度小于所述柵堆疊基體的高度。

6.?根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述襯底為硅時(shí)，所述外延層材料為SiGe、Ge、SiC、摻雜或未摻雜的單晶硅或多晶硅中的一種或其組合。

7.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述外延層包括至少兩層，相鄰的兩層材料不同。

8.?根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述外延層包括第一層和第二層且所述第二層形成于所述第一層上時(shí)，至少去除部分高度的所述外延層的步驟為去除所述第二層。

9.?根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在形成接觸孔和填充所述接觸孔的步驟之間，還包括：在所述接觸孔暴露的所述外延層或所述襯底上形成接觸層。

10.?根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，以導(dǎo)電材料填充所述接觸孔的步驟包括：

形成阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述接觸孔的側(cè)壁和底壁，所述阻擋層材料為Ta、TaN、Ti、TiN或Ru中的一種或其組合；

形成金屬層，所述金屬層形成于所述阻擋層上，所述金屬層材料為W、Al、Cu、TiAl中的一種或其組合。