[發明專利]晶片傾斜偵測系統

無效

• 申請號: 201110094580.1
• 申請日: 2011-04-07
• 公開（公告）號: CN102738028A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 胡毓浩;廖炫凱;卓慶華;利永譯;曾嘉豪;陳正輝;蔡毓通
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

技術領域

本發明是關于一種半導體晶片制造，尤指一種與光刻蝕法程序有關的偵測晶片傾斜的方法。

背景技術

由于計算機的出現，已有穩定的傳動裝置朝向生產更小以及更有能力的電子裝置，像是計算裝置、通訊裝置與存儲器。在維持或改進這些裝置各自的能力的同時，為了減少這些裝置的尺寸，在這些裝置中元件的尺寸必須減少。在電子裝置中的多種元件是由半導體材料所制成，在某些情況下是由一種所謂的半導體晶片的結構來提供。半導體晶片可用來生產對于特定元件具有期望的效能與尺寸特性的集成電路。

因為現代集成電路可制作至小尺寸，任何在集成電路上的缺陷將可能對效能有相當大的影響。為了最小化由于缺陷的晶片所導致的損失以及最大化晶片產量，在晶片生產中小心注意以防止產生缺陷以及偵測任何缺陷，如此失敗的晶片可以在送至消費者手上前被移除。減少某些不規則的程序可幫助減少晶片失敗的發生率。

一例為在生產程序中的某些不規則在光刻蝕法程序中烘烤晶片時可導致晶片損壞。例如：典型的光刻蝕法操作在熱板上可包括一或多個烘烤晶片的步驟。圖1舉例說明晶片10位于熱板12上，其目的為用于烘烤該晶片10。為了幫助排列該晶片10以在該晶片10的表面提供一恒定的熱量，熱板12可具有引導塊14使得晶片可傾向于座落在其間而與熱板12接觸。隨著均勻加熱該晶片10的表面，烘烤可均勻地發生在晶片10上，晶片程序可根據其它的光刻蝕法步驟繼續進行而不會有烘烤操作導致的任何問題。然而，若晶片10由于某些原因傾斜，晶片10可能無法均勻地加熱，并對晶片10的程序產生影響導致該晶片10最終成為有缺陷的。

圖2舉例說明一傾斜的晶片20，其一端鉤在引導塊14的其中之一上。晶片的傾斜可能由于熱板12上有外來材料的顆粒或其它不完美的情況所導致。不管原因如何，圖2中的晶片傾斜可造成傾斜的晶片20具有增加的可能性成為有缺陷的。因此，現今亟欲提供一種偵測晶片傾斜是否發生的情況的能力。

發明內容

本發明的實施例因此提出一種用于精確偵測晶片傾斜的系統，可因此減少產量損失率以及可促進產量。

在一實施例中，一種利用準確地確認傾斜晶片的情況以改善晶片產率的方法被提出。該方法包括：在機器信號之間所定義的間隔中提供詢問信號，這些詢問信號與溫度信息相關，該溫度信息表示一熱板的一溫度，該熱板具有放置于其上的一物品；接收該溫度信息；以及基于該溫度信息與用于一完全安裝的物品的一預期熱輪廓的比較結果來決定該物品的一安裝情況。

在另一實施例中，一種利用準確地確認傾斜晶片的情況以改善晶片產率的裝置被提出。該裝置包括：一處理器，該處理器配置為控制一監控站，該監控站關于在機器信號之間所定義的間隔中提供詢問信號，這些詢問信號與溫度信息相關，該溫度信息表示一熱板的一溫度，該熱板具有放置于其上的一物品；接收該溫度信息；以及基于該溫度信息與用于一完全安裝的物品的一預期熱輪廓的比較結果來決定該物品的一安裝情況。

熟悉本技術者須了解前述的敘述及接下來的詳細說明僅是作為例證用，而不用于限制本發明的范圍。

附圖說明

圖1為根據本發明的實施例舉例說明晶片位于熱板上，其目的為用于烘烤該晶片；

圖2為根據本發明的實施例舉例說明傾斜晶片的情況可得到解決以及確認；

圖3為根據本發明的實施例說明一種用于提供偵測晶片傾斜以改善晶片產量的系統結構；

圖4為根據本發明的實施例說明一種理論的晶片烘烤溫度曲線；

圖5為根據本發明的實施例說明一種由于具有過久的取樣頻率而扭曲的晶片烘烤溫度曲線；

圖6為根據本發明的實施例舉例說明在機器信號與詢問信號間的重疊可啟動錯誤警報；

圖7為根據本發明的實施例舉例說明較短的詢問信號用來防止機器信號與詢問信號間的重疊；

圖8為根據本發明的實施例舉例說明一系列的機器指令以及命令可插入而不重疊的間隔的圖示；

圖9為根據本發明的實施例舉例說明一種利用精確地確認傾斜晶片的情況用以改善晶片產量的裝置；以及

圖10為根據本發明的實施例敘述一種利用精確地確認傾斜晶片的情況用以改善晶片產量的方法的流程圖。

主要元件符號說明

10???晶片??????????12???????熱板

14???引導塊????????20???????傾斜晶片

102??熱板控制器????104～108?熱板