[發明專利]晶體管數組基板有效
| 申請號: | 201110094494.0 | 申請日: | 2011-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN102184966A | 公開(公告)日: | 2011-09-14 |
| 發明(設計)人: | 黃雅惠;陳冠妤;陳盈惠;陳德譽 | 申請(專利權)人: | 福州華映視訊有限公司;中華映管股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/786 | 分類號: | H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡學俊 |
| 地址: | 350015 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶體管 數組 | ||
技術領域
本發明涉及一種顯示器的組件,且特別是有關于一種晶體管數組基板。
背景技術
目前已出現一種具有金屬氧化物半導體(Metal?Oxide?Semiconductor,?MOS)的液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display,?LCD)。這種液晶顯示器所具有的薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor,?TFT),其半導體層是由金屬氧化物半導體所制作而成。然而,在此液晶顯示器的一般制程中,金屬氧化物半導體容易受到制程用的氣體,例如氫氣,所影響而變成導體。如此,薄膜晶體管會失去開關功能,導致液晶顯示器無法正常地顯示影像。
發明內容
鑒于現有技術的不足,本發明的目的在于提供一種晶體管數組基板,以保護金屬氧化物半導體免于被制程用的氣體所影響。
為了實現上述目的,本發明的技術方案是:一種晶體管數組基板,其特征在于,包括:一基板;多條掃描線與多條數據線,皆配置在該基板上,并且彼此交錯;多個畫素單元,各該畫素單元包括一晶體管與一畫素電極,各該晶體管包括:一閘極,配置于該基板上,并電性連接其中一該掃描線;一汲極,電性連接其中一該畫素電極;一源極,電性連接其中一該數據線,其中該汲極與該源極之間存有一通道間隙;一金屬氧化物半導體層,配置于該閘極與該汲極之間,以及該閘極與該源極之間,并具有一對側邊緣,其中該些側邊緣彼此相對,并位于該通道間隙的二端處;一信道保護層,覆蓋該通道間隙內的該金屬氧化物半導體層,并凸出于該金屬氧化物半導體層的該些側邊緣;以及多個第一保護墊,配置于該些掃描線與該些數據線之間,并分別位于該些掃描線與該些數據線的交錯處,其中各該第一保護墊包括一第一墊層與一第二墊層,而該些第一墊層位于該些第二墊層與該些掃描線之間。
在本發明一實施例中,該金屬氧化物半導體層的材質為銦鎵鋅氧化物半導體(InGaZnO,?IGZO)或銦錫鋅氧化物半導體(In-Sn-Zn-O,?ITZO)。
在本發明一實施例中,該些第一墊層的材質與該些金屬氧化物半導體層的材質相同。
在本發明一實施例中,該些第二墊層的材質與該些信道保護層的材質相同。
在本發明一實施例中,該信道保護層的材質為硅化合物或硅。
在本發明一實施例中,在各該晶體管中,該信道保護層局部覆蓋該金屬氧化物半導體層,而該汲極與該源極局部覆蓋該金屬氧化物半導體層。
在本發明一實施例中,該晶體管數組基板更包括多條共享線與多個第二保護墊,該些共享線皆配置在該基板上,并位于該些畫素電極的下方,其中該些共享線與該些掃描線并列,并與該些數據線彼此交錯,該些第二保護墊配置于該些共享線與該些數據線之間,并分別位于該些共享線與該些數據線的交錯處。
在本發明一實施例中,該些第二保護墊更配置于該些共享線與該些畫素電極之間。
在本發明一實施例中,各該第二保護墊包括一第三墊層與一第四墊層,而該些第三墊層位于該些第四墊層與該些共享線之間。
在本發明一實施例中,該些第三墊層的材質與該些金屬氧化物半導體層的材質相同。
在本發明一實施例中,該些第四墊層的材質與該些信道保護層的材質相同。
在本發明一實施例中,其中該些第四墊層完全覆蓋該些第三墊層與該些共享線。
在本發明一實施例中,其中在各該晶體管中,該信道保護層完全覆蓋該金屬氧化物半導體層,而該汲極與該源極皆覆蓋該信道保護層。
在本發明一實施例中,該晶體管數組基板更包括一閘極保護層,該閘極保護層配置于該些閘極與該些金屬氧化物半導體之間,并全面性覆蓋該些閘極。
在本發明一實施例中,該晶體管數組基板更包括一絕緣層,而各該畫素單元包括一導電柱,該絕緣層位于該些晶體管與該些畫素電極之間,而該些導電柱配置于該絕緣層中,并分別連接于該些畫素電極與該些汲極之間。
本發明的優點:由于信道保護層覆蓋信道間隙內的金屬氧化物半導體層,并凸出于金屬氧化物半導體層的二側邊緣,從而將汲極與源極隔開,因此信道保護層能使信道間隙內的金屬氧化物半導體層與制程用的氣體隔絕,進而保護金屬氧化物半導體免于被制程用的氣體所影響。
附圖說明
圖1A是本發明第一實施例的晶體管數組基板的俯視示意圖。
圖1B是圖1A中沿線I-I剖面所繪示的剖面示意圖。
圖1C是圖1A中沿線J-J剖面所繪示的剖面示意圖。
圖2A是本發明第二實施例的晶體管數組基板的俯視示意圖。
圖2B是圖2A中沿線K-K剖面所繪示的剖面示意圖。
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