[發(fā)明專利]晶體管數(shù)組基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110094494.0
• 申請(qǐng)日: 2011-04-15
• 公開（公告）號(hào): CN102184966A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃雅惠;陳冠妤;陳盈惠;陳德譽(yù)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福州華映視訊有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 福州元?jiǎng)?chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學(xué)俊

1.一種晶體管數(shù)組基板，其特征在于，包括：

一基板；

多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線，皆配置在該基板上，并且彼此交錯(cuò)；

多個(gè)畫素單元，各該畫素單元包括一晶體管與一畫素電極，各該晶體管包括：

一閘極，配置于該基板上，并電性連接其中一該掃描線；

一汲極，電性連接其中一該畫素電極；

一源極，電性連接其中一該數(shù)據(jù)線，其中該汲極與該源極之間存有一通道間隙；

一金屬氧化物半導(dǎo)體層，配置于該閘極與該汲極之間，以及該閘極與該源極之間，并具有一對(duì)側(cè)邊緣，其中該些側(cè)邊緣彼此相對(duì)，并位于該通道間隙的二端處；

一信道保護(hù)層，覆蓋該通道間隙內(nèi)的該金屬氧化物半導(dǎo)體層，并凸出于該金屬氧化物半導(dǎo)體層的該些側(cè)邊緣；以及

多個(gè)第一保護(hù)墊，配置于該些掃描線與該些數(shù)據(jù)線之間，并分別位于該些掃描線與該些數(shù)據(jù)線的交錯(cuò)處，其中各該第一保護(hù)墊包括一第一墊層與一第二墊層，而該些第一墊層位于該些第二墊層與該些掃描線之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管數(shù)組基板，其特征在于：該金屬氧化物半導(dǎo)體層的材質(zhì)為銦鎵鋅氧化物半導(dǎo)體或銦錫鋅氧化物半導(dǎo)體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管數(shù)組基板，其特征在于：該些第一墊層的材質(zhì)與該些金屬氧化物半導(dǎo)體層的材質(zhì)相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管數(shù)組基板，其特征在于：該些第二墊層的材質(zhì)與該些信道保護(hù)層的材質(zhì)相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管數(shù)組基板，其特征在于：該信道保護(hù)層的材質(zhì)為硅化合物或硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管數(shù)組基板，其特征在于：在各該晶體管中，該信道保護(hù)層局部覆蓋該金屬氧化物半導(dǎo)體層，而該汲極與該源極局部覆蓋該金屬氧化物半導(dǎo)體層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管數(shù)組基板，其特征在于：更包括多條共享線與多個(gè)第二保護(hù)墊，該些共享線皆配置在該基板上，并位于該些畫素電極的下方，其中該些共享線與該些掃描線并列，并與該些數(shù)據(jù)線彼此交錯(cuò)，該些第二保護(hù)墊配置于該些共享線與該些數(shù)據(jù)線之間，并分別位于該些共享線與該些數(shù)據(jù)線的交錯(cuò)處。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶體管數(shù)組基板，其特征在于：該些第二保護(hù)墊更配置于該些共享線與該些畫素電極之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶體管數(shù)組基板，其特征在于：各該第二保護(hù)墊包括一第三墊層與一第四墊層，而該些第三墊層位于該些第四墊層與該些共享線之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管數(shù)組基板，其特征在于：該些第三墊層的材質(zhì)與該些金屬氧化物半導(dǎo)體層的材質(zhì)相同。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管數(shù)組基板，其特征在于：該些第四墊層的材質(zhì)與該些信道保護(hù)層的材質(zhì)相同。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管數(shù)組基板，其特征在于：該些第四墊層完全覆蓋該些第三墊層與該些共享線。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管數(shù)組基板，其特征在于：在各該晶體管中，該信道保護(hù)層完全覆蓋該金屬氧化物半導(dǎo)體層，而該汲極與該源極皆覆蓋該信道保護(hù)層。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管數(shù)組基板，其特征在于：更包括一閘極保護(hù)層，該閘極保護(hù)層配置于該些閘極與該些金屬氧化物半導(dǎo)體之間，并全面性覆蓋該些閘極。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管數(shù)組基板，其特征在于：更包括一絕緣層，而各該畫素單元包括一導(dǎo)電柱，該絕緣層位于該些晶體管與該些畫素電極之間，而該些導(dǎo)電柱配置于該絕緣層中，并分別連接于該些畫素電極與該些汲極之間。