[發明專利]減少太陽能電池表面的蝕刻痕的設備

有效

• 申請號: 201110093500.0
• 申請日: 2011-04-12
• 公開（公告）號: CN102738295A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 陳其成
• 申請（專利權）人: 聯景光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

技術領域

本發明涉及一種太陽能電池蝕刻設備，且特別是涉及一種減少太陽能電池表面的蝕刻痕的設備。

背景技術

太陽能電池是一種利用光電效應將太陽光能直接轉換成電能的干凈能源。目前以硅晶太陽能電池的發展與應用范圍最廣。

圖1A至圖1F是現有的硅晶太陽能電池的制造流程剖面示意圖。一般會先對硅晶基板100進行表面結構化工藝，使其正面102、背面104與側邊106均產生表面結構(如圖1A)，然后對硅晶基板100進行擴散工藝，而成使硅晶基板100表面含正面102、背面104與側邊106都形成擴散區108(如圖1B)。接著，進行絕緣(isolation)工藝，蝕刻去除硅晶基板100的正面102以外的擴散區108，使硅晶基板100的背面104a與側邊106a無擴散區，以達到晶邊絕緣的效果(如圖1C)。隨后，于正面102的擴散區108上形成抗反射層110(如圖1D)，再于抗反射層110表面及硅晶基板100的背面104a上分別涂布導電膠112和114(如圖1E)。最后進行燒結，使導電膠成為正面電極116與背面電極118，其中正面電極116會穿過抗反射層110與擴散區108接觸。

然而在進行絕緣工藝時，通常是采用能循環給藥的蝕刻設備，所以在蝕刻期間如果給藥的管線中有氣泡累積到一定程度，則容易因為突發的大氣泡排出，間接造成硅晶基板100產生蝕刻痕，如圖2A與圖2B所示。

在俯視圖(圖2A)中，因氣泡冒出而使蝕刻劑接觸硅晶基板100邊緣200的擴散區108，而使其被蝕刻而影響太陽能電池的外觀。嚴重的話，會如圖2B所示的剖面，因硅晶基板100邊緣200的擴散區108被蝕刻掉，導致太陽能電池的受光面積降低而影響光電轉換效率。

發明內容

本發明提供一種減少太陽能電池表面的蝕刻痕的設備，能防止因氣泡導致太陽能電池表面的蝕刻痕的產生。

本發明提出一種減少太陽能電池表面的蝕刻痕的設備，包括一蝕刻槽、設置于蝕刻槽內的一給藥管以及包覆給藥管的一氣泡引導裝置，用以引導自上述給藥管排出的氣泡往給藥管的端部移動。

在本發明的一實施例中，上述氣泡引導裝置包括濾網。

在本發明的一實施例中，上述氣泡引導裝置還包括一固定件，設置于上述給藥管中段用以固定濾網。

在本發明的一實施例中，上述氣泡引導裝置還包括至少一支撐件，設置于上述給藥管的端部用以支撐濾網。

在本發明的一實施例中，上述給藥管在其端部之間設有多個藥液出口。

在本發明的一實施例中，上述設備還包括一給藥槽，連接至給藥管，以連續供應一蝕刻藥液至蝕刻槽內。

在本發明的一實施例中，上述設備還包括一馬達，用以抽取給藥槽內的蝕刻藥液到蝕刻槽內。

在本發明的一實施例中，上述設備還包括一藥液回收管，自上述蝕刻槽連接至給藥槽，以循環供應蝕刻藥液。

在本發明的一實施例中，上述設備還包括一硅晶基板移動裝置，設于蝕刻槽內的給藥管上方。

在本發明的一實施例中，上述硅晶基板移動裝置包括多個移動滾輪，以帶動一硅晶基板連續移動。

基于上述，本發明的設備藉由氣泡引導裝置來引導自給藥管排出的氣泡往給藥管的端部移動，故可減少因氣泡導致太陽能電池表面的蝕刻痕的發生率。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A至圖1F是現有硅晶太陽能電池的制造流程剖面示意圖。

圖2A是圖1C的硅晶基板邊緣有蝕刻痕的俯視圖。

圖2B是圖2A的B-B線段的剖面圖。

圖3是依照本發明的一實施例的一種減少太陽能電池表面的蝕刻痕的設備的示意圖。

圖4是圖3的氣泡引導裝置的一例的細部結構示意圖。

圖5A和圖5B分別是圖4的支撐件的兩例的示意圖。

圖6是依照圖3的減少太陽能電池表面的蝕刻痕的設備進行蝕刻的示意圖。

附圖標記：

100、604：硅晶基板

102：正面

104、104a、608：背面

106、106a、610：側邊

108：擴散區

110：抗反射層

112、114：導電膠

116：正面電極

118：背面電極

200：邊緣

300：蝕刻槽

302：給藥管

304：氣泡引導裝置

306、612：氣泡

308：端部