[發(fā)明專利]一種基底制造裝置及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110092338.0
• 申請(qǐng)日: 2004-08-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102223765A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 麥可·巴訥斯;約翰·后蘭;杉宏清;布瑞恩·Y·普;摩喜特·杰恩;蘇立范;麥可·D·阿馬寇斯特;韓森·E·奈爾;戴安娜·瑪莉黛歐并;阿修克·K·信哈;丹·麥登
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料有限公司
• 主分類號(hào): H05K3/00
• 分類號(hào): H05K3/00;H05K3/02
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長(zhǎng)明

1.一種基底制造裝置，其特征在于，包括：

(a)一個(gè)制造腔室，包括：

(i)一個(gè)基底支座，用以承載一個(gè)基底，該基底具有一個(gè)第一區(qū)域和一個(gè)第二區(qū)域；

(ii)一個(gè)氣體配管，用以將一氣體導(dǎo)入該制造腔室中；

(iii)一個(gè)氣體增能器，以使該氣體增能，以便在該基底上形成多個(gè)圖案；

(iv)一個(gè)氣體排出口，用以排出該氣體；

(b)一個(gè)制造監(jiān)測(cè)器，用以：

(i)監(jiān)測(cè)該基底的該第一區(qū)域上所形成的具有間隔開(kāi)且分離開(kāi)的多個(gè)圖案的圖形的尺寸，并產(chǎn)生一個(gè)第一信號(hào)；

(ii)監(jiān)測(cè)該基底的該第二區(qū)域上所形成的具有間隔開(kāi)且分離開(kāi)的多個(gè)圖案的圖形的尺寸，并產(chǎn)生一個(gè)第二信號(hào)；

(c)一個(gè)腔室控制裝置，用以接收該第一信號(hào)與該第二信號(hào)，并操作該基底支座、該氣體配管、該氣體增能器或該氣體排出口，以設(shè)定多個(gè)制造參數(shù)，其中多個(gè)制造參數(shù)包括一個(gè)或多個(gè)氣體流率、氣體壓力、氣體增能電源的水平以及基底溫度，以對(duì)多個(gè)第一區(qū)域與第二區(qū)域的圖案進(jìn)行制造，補(bǔ)償形成在多個(gè)第一和第二區(qū)域上的圖案尺寸上的差異。

2.如權(quán)利要求1所述的基底制造裝置，其特征在于：所述腔室控制裝置中具有程序化編碼，以選擇并設(shè)定多個(gè)制造參數(shù)，以一個(gè)第一制造速率處理該第一區(qū)域的多個(gè)圖案，并同時(shí)以一個(gè)第二制造速率處理該第二區(qū)域的多個(gè)圖案，以在制造結(jié)束時(shí)，該第一區(qū)域的多個(gè)圖案的尺寸與該第二區(qū)域的多個(gè)圖案的尺寸大致相同。

3.如權(quán)利要求1所述的基底制造裝置，其特征在于，所述制造腔室包括：

一個(gè)第一制造區(qū)塊，位于該基底的該第一區(qū)域上方；

一個(gè)第二制造區(qū)塊，位于該基底的該第二區(qū)域上方；

其中該制造控制裝置中具有一可程序化編碼，以選擇并設(shè)定一制造參數(shù)，該制造參數(shù)在該第一制造區(qū)塊上設(shè)定在一個(gè)可控制的第一水平，并在該第二制造區(qū)塊上設(shè)定在一個(gè)可控制的第二水平。

4.如權(quán)利要求1所述的基底制造裝置，其特征在于，所述腔室控制裝置中具有一可程序化編碼，用以：

(1)將該制造參數(shù)設(shè)定在該可控制的第一水平，并與該第一信號(hào)的大小成比例，并將該制造參數(shù)設(shè)定在該可控制的第二水平，并與該第二信號(hào)的大小成比例；

(2)操作該氣體配管，以設(shè)定一氣體流率，該氣體流率在該第一制造區(qū)塊上設(shè)定一第一流率，并在該第二制造區(qū)塊上設(shè)定一第二流率；

(3)操作該氣體增能器，以設(shè)定一氣體增能電源水平，該氣體增能電源水平在該第一城區(qū)塊設(shè)定一第一電源水平，并在該第二制造區(qū)塊上設(shè)定一第二電源水平；或

(4)操作位在該制造腔室上方的一個(gè)磁場(chǎng)產(chǎn)生器，以設(shè)定一可控制的磁場(chǎng)強(qiáng)度，該可控制的磁場(chǎng)強(qiáng)度在該第一制造區(qū)塊設(shè)定一第一磁場(chǎng)強(qiáng)度，并在該第二制造區(qū)塊設(shè)定一第二磁場(chǎng)強(qiáng)度。

5.如權(quán)利要求1所述的基底制造裝置，其特征在于：所述腔室控制裝置中具有程序化編碼，所述具有程序化編碼的腔室控制裝置是依據(jù)該第一信號(hào)和該第二信號(hào)，以由該制程制造控制裝置的一內(nèi)存中所儲(chǔ)存的一查詢表的多個(gè)制造處方中選擇一制程制造處方。

6.如權(quán)利要求1所述的基底制造裝置，其特征在于，所述腔室控制裝置中具有一可程序化編碼，以改變?cè)撝圃烨皇业脑撝圃靺?shù)，使該制造參數(shù)從處理一初始基底的初始制造參數(shù)改變?yōu)樘幚硪慌位椎呐沃圃靺?shù)，其中該批次基底與該初始基底具有相似的特性。

7.如權(quán)利要求1所述的基底制造裝置，其特征在于，其中形成在該基底的多個(gè)圖案包括一主方向，所述制造監(jiān)測(cè)器包括：

一個(gè)第一干涉儀，用以探測(cè)該基底的該第一區(qū)域所形成的多個(gè)圖案的反射光，以產(chǎn)生該第一信號(hào)；

一個(gè)第二干涉儀，用以探測(cè)該基底的該第二區(qū)域所形成的多個(gè)圖案的反射光，以產(chǎn)生該第二信號(hào)。