[發(fā)明專利]鍍膜件及其制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110090667.1
• 申請(qǐng)日: 2011-04-12
• 公開（公告）號(hào): CN102732826A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;李聰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/06
• 分類號(hào): C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種鍍膜件，其包括基體及形成于基體表面的疏水層，其特征在于：該疏水層為非晶B_xC_y層，其中1≤x≤4、0.75≤y≤3。

2.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述基體為金屬或非金屬。

3.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述疏水層的厚度為250～500nm。

4.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述疏水層與水的接觸角為103～111°。

5.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述疏水層通過磁控濺射的方式形成。

6.一種鍍膜件的制備方法，其包括如下步驟：

提供一基體；

采用磁控濺射法，以硼靶為靶材，以乙炔為反應(yīng)氣體，在基體表面形成疏水層，該疏水層為非晶B_xC_y層，其中1≤x≤4、0.75≤y≤3。

7.如權(quán)利要求6所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述形成疏水層的具體工藝參數(shù)為：所述硼靶的功率為1～5kw，乙炔的流量為300～500sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為300～500sccm，施加于基體的偏壓為50～-300V，基體的溫度為150～450℃，鍍膜時(shí)間為20～60min。

8.如權(quán)利要求6所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述基體為金屬或非金屬。

9.如權(quán)利要求6所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述疏水層的厚度為250～500nm。