[發明專利]溝槽功率器件的柵極溝槽的刻蝕方法

無效

• 申請號: 201110087271.1
• 申請日: 2011-04-08
• 公開（公告）號: CN102184862A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發明（設計）人: 呂宇強
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳亮

1.一種溝槽功率器件的柵極溝槽的刻蝕方法，包括步驟：

提供半導體襯底，其上依次形成有墊氧化層和硬掩模層，所述硬掩模層依次包括氮化層和氧化層；

依次干法刻蝕所述氧化層、氮化層和墊氧化層直至所述半導體襯底停止，在所述半導體襯底上方形成溝槽窗口；

在所述溝槽窗口中生長熱場氧化層，其厚度根據所述柵極溝槽的頂端斜坡要求而確定；

干法刻蝕所述熱場氧化層并刻蝕所述半導體襯底，在所述半導體襯底中形成所述柵極溝槽；

依次去除所述硬掩模層和墊氧化層。

2.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述半導體襯底為硅襯底。

3.根據權利要求2所述的刻蝕方法，其特征在于，所述方法在去除所述硬掩模層和墊氧化層之后還包括步驟：

在所述柵極溝槽中形成犧牲氧化層，然后再用濕法清洗法去除所述犧牲氧化層。

4.根據權利要求2所述的刻蝕方法，其特征在于，所述墊氧化層厚度為所述氮化層厚度為所述氧化層厚度為

5.根據權利要求4所述的刻蝕方法，其特征在于，所述氧化層是由正硅酸乙酯以低壓化學氣相淀積工藝形成的。

6.根據權利要求2所述的刻蝕方法，其特征在于，所述熱場氧化層厚度為

7.根據權利要求3所述的刻蝕方法，其特征在于，所述犧牲氧化層是通過干氧氧化法生長的。