[發明專利]半導體集成電路裝置

無效

• 申請號: 201110085787.2
• 申請日: 2011-02-28
• 公開（公告）號: CN102290100A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發明（設計）人: 平田義治
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G11C11/4193
• 分類號: G11C11/4193
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種半導體集成電路裝置，其特征在于，具備：

多個升壓電路，被輸入輸入電壓，將上述輸入電壓升壓，分別產生不同值的升壓電壓；

調節器，能夠將上述升壓電壓降壓，產生多個降壓后的電壓；以及

多個開關，連接在上述多個升壓電路和上述調節器之間，選擇性地將來自上述升壓電路的上述升壓電壓提供給上述調節器作為電源電壓。

2.根據權利要求1所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

該半導體集成電路裝置還具備調節器控制電路，該調節器控制電路產生用于切換上述開關的切換信號。

3.根據權利要求2所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

上述調節器控制電路還產生輸出電壓控制信號，該輸出電壓控制信號用于設定由上述調節器產生的降壓電壓的值。

4.根據權利要求3所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

上述調節器控制電路還產生調節器控制信號，該調節器控制信號用于控制上述調節器的動作。

5.根據權利要求3所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

還具備模式控制電路，該模式控制電路產生控制上述升壓電壓的控制信號，并且產生控制上述調節器控制電路的動作模式控制信號。

6.根據權利要求3所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

上述調節器具備：

電流反射鏡電路；

可變電阻部，連接到該電流反射鏡電路的輸出節點；以及

兩個比較器，被反饋該可變電阻部的電壓并將輸出信號提供到上述電流反射鏡電路的兩個輸入端，

通過上述開關，將上述升壓電壓選擇性地提供給上述電流反射鏡電路作為電源電壓，并且通過上述輸出電壓控制信號設定可變電阻部的電阻，能夠從上述輸出節點輸出降壓電壓。

7.根據權利要求6所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

上述調節器還具備連接到上述輸出節點且通過上述調節器控制信號而開關的晶體管。

8.根據權利要求3所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

上述開關以接通期間相互不交迭的方式被切換。

9.根據權利要求1所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

還具備存儲器部，上述調節器連接到上述存儲器部，并且能夠將由上述調節器降壓后的電壓提供給上述存儲器部。

10.根據權利要求9所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

上述降壓電壓提供給上述存儲器部的被選擇的字線。

11.根據權利要求9所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

從上述調節器輸出的降壓電壓用于，與上述存儲器部的存儲器單元相關的改寫、寫入、階梯上升寫入、寫入驗證、讀取、和擦除驗證中的至少一個動作。

12.根據權利要求9所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

上述存儲器單元包括NOR閃存、NAND閃存、MRAM、PRAM、ReRAM、或FeRAM中的至少一種。

13.根據權利要求1所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

上述升壓電路分別包含電荷泵電路。

14.根據權利要求5所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

上述升壓電路分別包含電荷泵電路，來自上述模式控制電路的上述控制信號經由至少一個反相器分別提供到上述電荷泵電路。

15.根據權利要求14所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

上述電荷泵電路具有晶體管和電容器。

16.根據權利要求9所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

在上述存儲器單元部的存儲器單元晶體管中存儲大于等于2位的信息。

17.根據權利要求9所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

為了得到上述存儲器單元部需要的降壓電壓，能夠選擇并使用從上述升壓電路輸出的上述升壓電壓中比最高電壓低的升壓電壓作為上述調節器的電源電壓。

18.根據權利要求17所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

能夠選擇并使用上述升壓電壓中比上述存儲器單元部所需要的電壓高且最低的電壓作為上述調節器的電源電壓。