[發明專利]無電鍍形成的半導體裝置的接觸組件及用減少的剪力移除過多的材料

有效

• 申請號: 201110084642.0
• 申請日: 2011-03-31
• 公開（公告）號: CN102208361A
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發明（設計）人: A·普羅伊塞;N·斯科勒得;U·斯特克金
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種在半導體裝置中形成接觸組件的方法，所述方法包括：

進行選擇性沉積工藝，在接觸階層的介電材料的接觸開口中形成金屬，所述接觸開口連接至電路組件的接觸區域，所述電路組件至少部分形成在所述半導體裝置的半導體層中；

從所述金屬形成接觸組件，所述接觸組件被側向包埋；以及

在所述側向包埋的接觸組件基礎上進行平面化工藝，提供所述接觸階層的實質平坦表面。

2.如權利要求1所述的方法，其中形成所述接觸組件包括填充所述接觸開口至一高度階層，低于所述接觸階層的所述介電材料的表面的高度接層。

3.如權利要求2所述的方法，其中進行所述平面化工藝包括進行化學機械拋光工藝，移除所述介電材料的一部分。

4.如權利要求2所述的方法，更包括在形成所述金屬之后以及進行所述平面化工藝之前，在所述介電材料上方形成犧牲填充材料。

5.如權利要求4所述的方法，其中進行所述平面化工藝包括進行蝕刻工藝與拋光工藝至少其中一種。

6.如權利要求1所述的方法，其中形成所述接觸組件包括過度填充所述接觸開口，以及形成至少側向相鄰所述接觸組件的犧牲材料。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述犧牲材料是平面化材料形式，以及其中進行所述平面化工藝包括在所述平面化材料存在時，進行蝕刻工藝與拋光工藝至少其中一種。

8.如權利要求6所述的方法，其中形成所述犧牲材料包括提供連續傳導材料層，以及其中進行所述平面化工藝包括使用所述連續傳導材料層作為電流分布層，進行電化學蝕刻工藝。

9.如權利要求8所述的方法，其中形成所述犧牲材料更包括形成平面化層。

10.如權利要求1所述的方法，其中進行所述選擇性沉積工藝包括進行無電鍍工藝以及使用所述接觸區域作為催化材料。

11.一種方法，包括：

在半導體裝置的接觸階層的介電材料中，形成接觸開口；

在所述接觸開口內選擇性形成傳導材料，而不過度填充所述接觸開口；以及

移除所述介電材料的一部分，用來提供所述接觸階層的平坦表面。

12.如權利要求11所述的方法，其中進行無電鍍工藝，在所述接觸開口中，選擇性形成所述傳導材料。

13.如權利要求11所述的方法，其中移除所述介電材料的一部份包括進行拋光工藝。

14.如權利要求13所述的方法，其中進行所述無電路工藝包括直接沉積金屬在半導體區域中形成的接觸區域上。

15.如權利要求11所述的方法，更包括在移除所述介電材料的一部份之前，在所述傳導材料上方，形成犧牲平面化材料。

16.如權利要求15所述的方法，其中移除所述介電材料的一部份包括在所述犧牲平面化材料存在時，進行蝕刻工藝與拋光工藝至少其中一種。

17.一種方法，包括：

在半導體裝置的接觸階層的介電材料中，形成接觸開口，所述接觸開口延伸至電路組件的接觸區域；

進行選擇性沉積工藝，用傳導材料填充所述接觸開口；

在所述介電材料與所述傳導材料上方，形成犧牲材料層；以及

進行蝕刻工藝，平面化所述接觸階層的表面，在所述犧牲材料層存在中開始所述蝕刻工藝。

18.如權利要求17所述的方法，其中形成所述犧牲材料層包括在所述介電材料與所述傳導材料上方，形成連續傳導層。

19.如權利要求18所述的方法，其中進行蝕刻工藝包括進行電化學蝕刻工藝。

20.如權利要求19所述的方法，其中形成所述犧牲材料層包括在所述介電材料上方，形成含金屬層，以及在所述含金屬層上方，形成平面化材料。