[發明專利]一種提高110單晶硅成晶率的制備方法

無效

• 申請號: 201110084305.1
• 申請日: 2011-03-29
• 公開（公告）號: CN102168303A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發明（設計）人: 蔡蕓
• 申請（專利權）人: 浙江晨方光電科技有限公司
• 主分類號: C30B15/36
• 分類號: C30B15/36;C30B29/06
• 代理公司: 杭州天正專利事務所有限公司 33201
• 代理人: 舒良

技術領域

本發明涉及一種提高110單晶硅成晶率的制備方法。

背景技術

因為<111>晶向單晶生長排除位錯角為60度，<100>晶向單晶生長排除位錯角為90度，而<110>晶向單晶生長排除位錯角為0度，所以<110>晶向單晶位錯很難排出而盡，常常引晶后放肩脫棱或等徑后晶體生長不下去而產生位錯掉苞，使其晶體生長成晶率不高，導致<110>晶向成晶率太低。

發明內容

本發明的目的是提供在引晶過程中無位錯生長的一種提高<110>晶向單晶硅成晶率的制備方法。

本發明采取的技術方案是：一種提高<110>晶向單晶硅成晶率的制備方法，其特征在于采用<110>或<100>單晶切出晶向偏離<110>方向X角度的籽晶，然后采用該籽晶進行引晶，并保持引晶長度在12cm以上。

所述的X角度在1～9度。

采取本發明方法，因<110>籽晶的晶軸與生長方向偏離X角度，就可以在引晶過程排盡位錯，引出的<110>晶向的晶體就可以保證無位錯生長，因此能提高成晶率，保證成品率。

具體實施方式

下面采用本發明具體的實施作進一步簡要說明。

一、制作晶種要求：用<110>或<100>單晶，通過定向儀，切出晶種，使其晶向偏離<110>方向X角，X值在1～9度，最好在一般為4±1度。

二、引晶：采用上述的的籽晶進行引晶，要求引晶長度在12cm，但最好在22±3之間。

三、這樣采用偏離晶向后的<11x>方向進行引晶，生長出的晶體具有排位錯角，就可容易排出位錯，引出的<110>晶向的晶體就可以保證無位錯生長。因此能提高成晶率，且能保證成品率。據生長測試結果，通過上述方法，成晶率可以達到98％以上。