[發明專利]一種提高110單晶硅成晶率的制備方法無效
| 申請號： | 201110084305.1 | 申請日： | 2011-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN102168303A | 公開（公告）日： | 2011-08-31 |
| 發明（設計）人： | 蔡蕓 | 申請（專利權）人： | 浙江晨方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/36 | 分類號： | C30B15/36;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天正專利事務所有限公司 33201 | 代理人： | 舒良 |
| 地址： | 324300 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 110 單晶硅 成晶率 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高<110>晶向單晶硅成晶率的制備方法，其特征在于采用<110>或<100>單晶切出晶向偏離<110>方向X角度的籽晶，然后采用該籽晶進行引晶，并保持引晶長度在12cm以上。
2.根據權利要求1所述的一種提高<110>晶向單晶硅成晶率的制備方法，其特征在于X角度在1～9度之間。
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